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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
1N5519CUR-1	12.9600	RFQ	2755	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5519CUR-1	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v							3.6 v	24 옴
jantx1n5543dur-1/tr	42.0014	RFQ	4361	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5543dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		10 na @ 22.4 v							25 v	100 옴
1N7039CCU1	193.1700	RFQ	4939	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				표면 표면	3-smd,, 없음	1N7039	Schottky		U1 (SMD-1)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v	1.6 V @ 35 a		500 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	35a	-
JANS1N6315US	-	RFQ	5020	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 a		2 µa @ 1 v							4.3 v	18 옴
jantxv1n3595us	13.5000	RFQ	5607	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				표면 표면	SQ-Melf, b		기준		B, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2266-JANTXV1N3595US	귀 99	8541.10.0070	1	짐												125 v	1 v @ 200 ma	3 µs		-65 ° C ~ 150 ° C	4a	-
jantxv1n4464cus/tr	31.0350	RFQ	7303	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-jantxv1n4464cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100														1.5 v @ 1 a		300 NA @ 5.46 v							9.1 v	4 옴
CDLL4901A	58.8600	RFQ	8299	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA	CDLL4901		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																15 µa @ 8 v							12.8 v	200 옴
1N4746AE3	3.8400	RFQ	1539	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인	-	-		-	-	1N4746			-	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1N4746AE3MS	귀 99	8541.10.0050	1
1N5934E3/tr13	0.9900	RFQ	5141	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5934		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000														1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 18.2 v							24 v	19 옴
jantx1n4558b	-	RFQ	1793	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/114	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-204AD			50 W.	TO-204AD (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 2 a		150 µa @ 500 mV							4.3 v	0.16 옴
JANHCA1N5283	-	RFQ	8225	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N5283	귀 99	8541.10.0070	1																													100V	242µA	1V
JANS1N4123DUR-1	147.2700	RFQ	7920	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		10 na @ 29.7 v							39 v	200 옴
1N4680/tr	3.6575	RFQ	5758	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4680/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		4 µa @ 1 v							2.2 v
JANTX1N967B-1	2.1800	RFQ	556	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N967		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 14 v							18 v	21 옴
jantxv2n4449	18.2742	RFQ	1355	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/317	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-206AB, to-46-3 금속 캔	2N4449		360 MW	TO-46 (TO-206AB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																				20 v		400NA			NPN	450mv @ 10ma, 100ma	20 @ 100ma, 1v	-
1N4122UR	3.7950	RFQ	8280	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4122		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 27.38 v							36 v	200 옴
1N3825aur-1/tr	8.9400	RFQ	9695	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1.5 w	do-213ab (Melf, LL41)	-					귀 99	8541.10.0050	108														1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v							4.7 v	8 옴
jantxv1n4480c	33.1800	RFQ	2765	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4480		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1 v @ 200 ma		50 na @ 34.4 v							43 v	40
jantx1n3043b-1/tr	9.0573	RFQ	9650	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n3043b-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 69.2 v							91 v	250 옴
CDLL978	2.8650	RFQ	5287	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL978		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 39 v							51 v	125 옴
jankca1n4132	-	RFQ	6658	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7 (DO-204AA)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankca1n4132	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 62.32 v							82 v	800 옴
jantxv1n4991	19.9650	RFQ	1862	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4991		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a		2 µA @ 25.1 v							240 v	650 옴
1N5811aus/tr	11.1000	RFQ	4309	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	SQ-Melf, b		표준, 극성 역		B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5811aus/tr	귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v	875 mv @ 4 a	30 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1MHz
UES804	65.9400	RFQ	1234	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준		DO-5	-		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v	1.25 V @ 50 a	50 ns		-55 ° C ~ 150 ° C	50a	-
1N3309A	49.3800	RFQ	1914	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C		섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3309		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		25 µa @ 6.7 v							10 v	0.6 옴
jantx1n980b-1	3.0300	RFQ	5210	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N980		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 47 v							62 v	185 옴
MCP87130T-U/MF	-	RFQ	5401	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn	MCP87130	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,300		n 채널	25 v	43A (TC)	3.3V, 10V	13.5mohm @ 10a, 10V	1.7V @ 250µA	8 NC @ 4.5 v	+10V, -8V	400 pf @ 12.5 v	-	2.1W (TA)
MSR2N2222A	-	RFQ	9465	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			500MW	TO-18 (TO-206AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-MSR2N2222A			100																				50 v	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
2CGA301A-MSCL	56.1600	RFQ	6981	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인										-			영향을받지 영향을받지	150-2CGA301A-MSCL			1
JANTX1N990B-1	-	RFQ	9517	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.3 v @ 200 ma		500 NA @ 122 v							160 v	1700 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²