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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 현재 - 최대 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f | 짐 | 레귤레이터 레귤레이터 (전류) | 전압- 최대 (제한) |
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JANS1N6320US | 211.0400 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 1N6320 | 500MW | B, SQ-Mell | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µa @ 4 v | 6.8 v | 3 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4476C | 17.7000 | ![]() | 7538 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do041, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1N4476C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 24 v | 30 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5292 | 25.0950 | ![]() | 3232 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | - | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | CDLL52 | 500MW | do-213ab (Melf, LL41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||||||||||||||||||||
jantx1n6337 | 12.4350 | ![]() | 2674 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6337 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 27 v | 36 v | 50 옴 | |||||||||||||||||||
jantx1n4126d-1/tr | 17.9816 | ![]() | 6943 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n4126d-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 38.8 v | 51 v | 300 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4150UR-1/TR | 1.4000 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | 1N4150 | 기준 | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 676 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 1 v @ 200 ma | 4 ns | 100 na @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 200ma | - | ||||||||||||||||
jantx1n6642u | 7.2750 | ![]() | 6568 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/578 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N6642 | 기준 | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 75 v | 1.2 v @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 300ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | CD3821 | 4.0650 | ![]() | 7689 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 1 W. | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD3821 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 3.3 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5385CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 3011 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5385 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 122 v | 170 v | 380 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5370AE3/tr8 | 2.6250 | ![]() | 7417 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5370 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 40.3 v | 56 v | 35 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | LXS101-23-3 | 6.7350 | ![]() | 2410 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | LXS101 | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-LXS101-23-3 | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 a | 250 MW | 1pf @ 0V, 1MHz | Schottky -1 1 공통 양극 | 8V | - | |||||||||||||||||||
![]() | SBR6050 | 148.2150 | ![]() | 6803 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | Schottky | DO-5 (DO-203AB) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-SBR6050 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mV @ 60 a | 2 ma @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 60a | - | |||||||||||||||||||
![]() | BZV55C2V7 | 2.9400 | ![]() | 4260 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 7% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | BZV55C2V7 | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | ||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5807/tr | 25.7850 | ![]() | 4447 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/477 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 기준 | b, 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n5807/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4963 | 80.9550 | ![]() | 7916 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 5 w | b, 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µa @ 12.2 v | 16 v | 3.5 옴 | |||||||||||||||||||||
jantx1n4370d-1/tr | 12.4089 | ![]() | 1480 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n4370d-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 2.4 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4964dus | 27.0600 | ![]() | 1841 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4964dus | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µa @ 13.7 v | 18 v | 4 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N1190 | 74.5200 | ![]() | 1097 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N1190 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N1190ms | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 600 v | 1.4 V @ 110 a | 10 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||||||||
![]() | 2C3765-MSCLW | 8.4600 | ![]() | 1135 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3765-MSCLW | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JANS1N4957US/TR | 107.9502 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 5 w | D-5B | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n4957us/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µa @ 6.9 v | 9.1 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5933B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 1819 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5933 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 16.7 v | 22 v | 17.5 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6663 | 358.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/587 | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6663 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 500ma | - | |||||||||||||||||
![]() | MBR2090CTE3/TU | - | ![]() | 9818 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 튜브 | 활동적인 | MBR2090 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5364 | 5.6700 | ![]() | 5737 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 5 w | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD5364 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 NA @ 25.1 v | 33 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | S4350 | 112.3200 | ![]() | 3278 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | DO-205AA, DO-8, 스터드 | 기준 | DO-205AA (DO-8) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-S4350 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 500 v | 1.1 v @ 200 a | 50 @ 500 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N823UR-1/TR | 4.9500 | ![]() | 6714 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n823ur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N759DUR-1 | 14.2500 | ![]() | 2074 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N759 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 9 v | 12 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4961cus/tr | 26.5800 | ![]() | 3725 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 150-jantxv1n4961cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 10 µa @ 9.9 v | 13 v | 3 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5352E3/tr8 | 2.6250 | ![]() | 4360 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5352 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 10.8 v | 15 v | 2.5 옴 | ||||||||||||||||||
jantxv1n4467us/tr | 12.8611 | ![]() | 1452 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4467us/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 200 na @ 9.6 v | 12 v | 7 옴 |
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