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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N5943BUR-1	4.5300	RFQ	5371	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	1N5943		1.25 w	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v							56 v	86 옴
1N3155-1	15.7650	RFQ	8252	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N3155		500MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					10 µa @ 5.5 v							8.4 v	15 옴
UPR15E3/TR7	0.7000	RFQ	1947	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-216AA	UPR15	기준		DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	150 v	975 MV @ 2 a	25 ns	2 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2.5A	-
jantxv1n1615	-	RFQ	5575	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/162	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		DO-4 (DO-203AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n1615	귀 99	8541.10.0080	50	짐	400 v	1.3 V @ 30 a		10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
CDLL4746/tr	3.2319	RFQ	1887	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF				do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4746/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		100 na @ 13.7 v							18 v	20 옴
jantx1n2985rb	-	RFQ	3765	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	DO-213AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µa @ 16.7 v							22 v	5 옴
JAN1N4622UR-1	6.5550	RFQ	9164	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4622		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		2.5 µa @ 2 v							3.9 v	1650 옴
JAN2N5151	13.6192	RFQ	8653	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/545	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N5151		1 W.	TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1									80 v	2 a	50µA			PNP	1.5v @ 500ma, 5a	30 @ 2.5a, 5V	-
2C4236	12.6600	RFQ	3445	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-2C4236			1
jantxv1n6341dus	68.5500	RFQ	9204	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n6341dus	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 39 v							51 v	85 옴
DSB5822/tr	-	RFQ	5384	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	축		Schottky		B, D-5D	-			영향을받지 영향을받지	150-DSB5822/tr	귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	500 mV @ 3 a		100 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
1N4574A/TR	29.5200	RFQ	8506	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n4574a/tr	귀 99	8541.10.0050	100					2 µa @ 3 v							6.4 v	100 옴
JANS1N4491	137.4000	RFQ	9830	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 NA @ 96 v							120 v	400 옴
CDLL4679	3.3000	RFQ	4797	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA	CDLL4679		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v							2 v
CDLL3030A	15.3000	RFQ	6836	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL3030		1 W.	do-213ab	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 20.6 v							27 v	35 옴
JAN1N981D-1	6.0600	RFQ	9822	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N981		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 52 v							68 v	230 옴
SMBG5361B/TR13	2.2500	RFQ	7078	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5361		5 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 19.4 v							27 v	5 옴
S2230	33.4500	RFQ	5880	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-S2230			1
CDLL4735A/TR	3.3915	RFQ	5684	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF				do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4735A/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v							6.2 v	2 옴
1N5919CPE3/TR12	1.2000	RFQ	4299	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5919		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v							5.6 v	2 옴
JANS1N4116D-1	101.3100	RFQ	6391	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 18.3 v							24 v	150 옴
1N758D/TR	5.7750	RFQ	7841	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n758d/tr	귀 99	8541.10.0050	164			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 1 v							10 v	17 옴
jantxv1n3037dur-1/tr	50.5932	RFQ	1095	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n3037dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 38.8 v							51 v	95 옴
CDLL957B/TR	2.7132	RFQ	6875	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			500MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL957B/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 5.2 v							6.8 v	4.5 옴
CD6485	3.5112	RFQ	8499	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	표면 표면	주사위				주사위	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD6485	귀 99	8541.10.0050	1
jantx1n3045cur-1	37.3500	RFQ	6887	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3045		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 83.6 v							110 v	450 옴
jantx1n4618-1/tr	4.9210	RFQ	9319	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4618-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1					500 na @ 1 v							2.7 v	1500 옴
JANS2N3421	65.2800	RFQ	2362	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/393	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			1 W.	TO-5AA	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS2N3421			1									80 v	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200ma, 2a	40 @ 1a, 2v	-
1N5228A/TR	1.8088	RFQ	4370	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5228a/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		10 µa @ 950 MV							3.9 v	23 옴
CD5529B	2.0482	RFQ	4528	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD5529B	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 8.2 v							9.1 v	45 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²