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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
Jan1n6857ur-1	-	RFQ	3485	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/444	대부분	활동적인			표면 표면	DO-213AA		Schottky		DO-213AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	16 v	750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	4.5pf @ 0v, 1MHz
UFR3015	51.4650	RFQ	6342	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		DO-203AA (DO-4)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	150 v	975 MV @ 30 a	35 ns		175 ° C (°)	30A	140pf @ 10V, 1MHz
JANS1N4487D	343.5150	RFQ	5499	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향			1.5 w	DO-41	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS1N4487D	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 NA @ 65.6 v							82 v	160 옴
2N6188	287.8650	RFQ	6179	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-210AA, TO-59-4, 스터드			60 W.	To-59	-			영향을받지 영향을받지	150-2N6188	귀 99	8541.29.0095	1									100 v	10 a	-			PNP	1.2v @ 100µa, 2ma	-	-
1N5357CE3/tr12	3.3900	RFQ	1961	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5357		5 w	T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 14.4 v							20 v	3 옴
jantx1n5619us/tr	9.2400	RFQ	8491	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/429	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, a		기준		D-5A	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5619us/tr	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.6 V @ 3 a	250 ns	500 NA @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 12v, 1MHz
jantx1n978dur-1/tr	17.3964	RFQ	4510	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N978		500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n978dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 39 v							51 v	125 옴
JAN1N6326US	13.4700	RFQ	5490	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6326		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 9.9 v							12 v	7 옴
JANSH2N2369AUB	357.7420	RFQ	3307	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/317	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음			400MW	ub	-			영향을받지 영향을받지	150-jansh2n2369aub			1									20 v		400NA			NPN	450mv @ 10ma, 100ma	40 @ 10ma, 1v	-
jantx1n3306b	-	RFQ	8722	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		125 µa @ 5 v							7.5 v	0.3 옴
1N4923	42.3600	RFQ	3167	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4923		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												19.2 v	150 옴
JANS1N4976DUS/TR	460.3500	RFQ	7284	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-				150-jans1n4976dus/tr	귀 99	8541.10.0050	50			1.5 v @ 1 a		2 µa @ 42.6 v							56 v	35 옴
jantxv1n4551b	-	RFQ	7562	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		100 µa @ 1 v							4.7 v	0.12 옴
CDLL5224B	2.8650	RFQ	6135	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5224		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v							2.8 v	30 옴
2N657	35.8169	RFQ	7800	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인					2N657				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
jantx1n5537b-1/tr	6.2111	RFQ	2071	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5537b-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 15.3 v							17 v	100 옴
JAN1N4130CUR-1/TR	19.9367	RFQ	6886	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)				DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N4130CUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 51.7 v							68 v	700 옴
1 PMT5927A/TR13	2.2200	RFQ	3636	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5927		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v							12 v	6.5 옴
CDLL4623	3.9450	RFQ	3687	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA	CDLL4623		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 2 v							4.3 v	1600 옴
1N5528D	5.6850	RFQ	3619	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5528d	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 7.5 v							8.2 v	40
jantxv1n462d-1	18.4650	RFQ	7530	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4622		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		2.5 µa @ 2 v							3.9 v	1650 옴
CDS5536BUR-1	-	RFQ	2339	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS5536BUR-1	귀 99	8541.10.0050	50
UZ7709V	468.9900	RFQ	8639	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	스터드 스터드	마개			10 W.	축	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ7709V	귀 99	8541.10.0050	1					150 µa @ 6.9 v							9.1 v	1 옴
JANS1N6328C	358.7400	RFQ	4789	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	b, 축			500MW	b, 축	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 11 v							15 v	10 옴
1 PMT5936BE3/TR13	0.7350	RFQ	7438	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5936		3 w	DO-216AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 22.8 v							30 v	28 옴
jankca1n5527c	-	RFQ	3952	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankca1n5527c	귀 99	8541.10.0050	100			1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 6.8 v							7.5 v	35 옴
1N3338RB	49.3800	RFQ	6940	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3338		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µa @ 62.2 v							82 v	11 옴
CDS759A-1	-	RFQ	3210	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS759A-1	귀 99	8541.10.0050	50
jantxv1n4495cus/tr	45.2850	RFQ	5164	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-jantxv1n4495cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		250 NA @ 144 v							180 v	1300 옴
1N4736AGE3	3.3300	RFQ	3913	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향			1 W.	DO-41	-			영향을받지 영향을받지	150-1N4736AGE3	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 4 v							6.8 v	3.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²