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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
1N4106-1	2.4750	RFQ	9526	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4106		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		50 na @ 9.2 v							12 v	200 옴
jantx1n3828c-1	21.9600	RFQ	5133	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3828		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 3 v							6.2 v	2 옴
JAN1N3350B	-	RFQ	7794	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µa @ 152 v							200 v	100 옴
jantx1n943b-1/tr	-	RFQ	8794	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/157	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANTX1N943B-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1					15 µa @ 8 v							11.7 v	30 옴
1N5535D	14.2050	RFQ	6459	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5535d	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 13.5 v							15 v	100 옴
JANS1N4622CUR-1	229.0350	RFQ	5669	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		2.5 µa @ 2 v							3.9 v	1650 옴
CDLL5528C	12.1950	RFQ	9400	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL5528C	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 7.5 v							8.2 v	40
1N2786	74.5200	RFQ	9086	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준		DO-5 (DO-203AB)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1N2786	귀 99	8541.10.0080	1	짐	200 v	1.19 v @ 90 a	5 µs	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	10A	-
jantx1n5544cur-1	37.7850	RFQ	7472	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)	1N5544		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 25.2 v							28 v	100 옴
jantxv1n5518b-1/tr	8.2327	RFQ	1031	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n5518b-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v							3.3 v	26 옴
SMBG5366C/TR13	2.8650	RFQ	3417	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5366		5 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 28.1 v							39 v	14 옴
jantxv1n4121cur-1/tr	25.6690	RFQ	9250	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4121cur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 25.1 v							33 v	200 옴
jantxv2n2919u	57.4693	RFQ	8979	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/355	대부분	활동적인		200 ° C (TJ)		표면 표면	3-smd,, 없음	2N2919		350MW	3-smd	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1									60V	30ma	10µA (ICBO)			2 NPN (()	300mv @ 100µa, 1ma	150 @ 1ma, 5V	-
jantx1n4557rb	-	RFQ	6625	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/114	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-204AD			50 W.	TO-204AD (TO-3)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		150 µa @ 500 mV							3.9 v	0.16 옴
jantx1n5298-1/tr	33.6150	RFQ	5942	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N5298		500MW	DO-7	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5298-1/tr	귀 99	8541.10.0070	1																		100V	1.21MA	1.4V
Jan1n3890a	296.0100	RFQ	4272	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/304	대부분	활동적인				스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		DO-203AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1.5 v @ 20 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	115pf @ 10V, 1MHz
2N3849	613.4700	RFQ	8915	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-		스터드 스터드	TO-211MB, TO-63-4, 스터드			150 W.	To-63	-			영향을받지 영향을받지	150-2N3849	귀 99	8541.29.0095	1									300 v	20 a	-			PNP	-	-	-
1N6310	8.4150	RFQ	1984	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6310		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		60 µa @ 1 v							2.7 v	30 옴
jankca1n4621d	-	RFQ	7278	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-jankca1n4621d	귀 99	8541.10.0050	100			1.1 v @ 200 ma		7.5 µa @ 2 v							3.6 v	1700 옴
1N5359/tr8	2.6250	RFQ	3407	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5359		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 17.3 v							24 v	3.5 옴
JANS1N6485CUS	-	RFQ	2811	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	A, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 µa @ 1 v							3.3 v	10 옴
SMBJ5340A/TR13	1.6350	RFQ	9682	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5340		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		1 µa @ 3 v							6 v	1 옴
jantx1n6910utk2as/tr	451.7100	RFQ	6786	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/723	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	Thinkey ™ 2		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		Thinkey ™ 2	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n6910utk2as/tr	귀 99	8541.10.0080	100	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)	15 v	520 MV @ 25 a		1.2 ma @ 15 v	-65 ° C ~ 150 ° C	25A	2000pf @ 5V, 1MHz
JANS1N4463D	232.9800	RFQ	3113	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		500 NA @ 4.92 v							8.2 v	2.5 옴
1N3600	1.3800	RFQ	2498	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N3600	기준		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	50 v	1 v @ 200 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	200ma	-
JANSM2N5154	95.9904	RFQ	4572	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/544	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSM2N5154			1									80 v	2 a	50µA			NPN	1.5v @ 500ma, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
1N2807RB	96.0150	RFQ	6745	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	TO-204AD	1N2807		50 W.	TO-204AD (TO-3)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		25 µa @ 6.1 v							9.1 v	0.5 옴
JANSR2N3439U4/tr	448.5008	RFQ	7108	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	3-smd,, 없음			800MW	U4	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSR2N3439U4/TR			50									350 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4ma, 50ma	40 @ 20MA, 10V	-
1N5943BUR-1	4.5300	RFQ	5371	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	1N5943		1.25 w	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v							56 v	86 옴
1N3155-1	15.7650	RFQ	8252	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N3155		500MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					10 µa @ 5.5 v							8.4 v	15 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²