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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	현재 - 최대	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
jantxv1n4109dur-1/tr	32.7180	RFQ	3695	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4109dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		50 na @ 11.4 v									15 v	100 옴
1N4955US/tr	7.4613	RFQ	7661	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4955US/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a		100 µa @ 5.7 v									7.5 v	1.5 옴
JANS1N4957US/TR	107.9502	RFQ	7893	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4957us/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a		25 µa @ 6.9 v									9.1 v	2 옴
1N4150UR-1/TR	1.4000	RFQ	9975	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AA	1N4150	기준		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	676	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													50 v	1 v @ 200 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	200ma	-
SMBJ5385CE3/TR13	1.0800	RFQ	3011	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5385		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v									170 v	380 옴
jankcam2n3637	-	RFQ	5118	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankcam2n3637			100																					175 v	1 a			10µA				PNP	600mv @ 5ma, 50ma	100 @ 50MA, 10V	-
MBR2090CTE3/TU	-	RFQ	9818	마이크로 마이크로 기술	*	튜브	활동적인					MBR2090				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000
1N4596R	102.2400	RFQ	7095	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-205AA, DO-8, 스터드		표준, 극성 역		DO-205AA (DO-8)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n4596R	귀 99	8541.10.0080	1	짐													1400 v	1.1 v @ 200 a		50 µa @ 1400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
jantx1n3026d-1/tr	22.7164	RFQ	2085	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n3026d-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 13.7 v									18 v	20 옴
Jan1n5536bur-1/tr	12.9542	RFQ	3183	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N5536BUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 14.4 v									16 v	100 옴
UZ5238	32.2650	RFQ	8531	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	b, 축			5 w	b, 축	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ5238	귀 99	8541.10.0050	1																	5 µa @ 274 v									380 v	1500 옴
JANS1N6315CUS	285.0750	RFQ	7173	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	쟁반	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6315		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		2 µa @ 1 v									4.3 v	20 옴
1N3595US/tr	9.3898	RFQ	4018	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, b		기준		B, SQ-Mell	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n3595US/tr	귀 99	8541.10.0070	1	짐														1 v @ 200 ma	3 µs	1 na @ 125 v	-65 ° C ~ 150 ° C	4a	-
1N4746PE3/TR12	0.9150	RFQ	9220	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4746		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000															1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 13.7 v									18 v	20 옴
GC4491-00	-	RFQ	1566	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C		주사위				칩	-			영향을받지 영향을받지	150-GC4491-00	귀 99	8541.10.0040	1			50 MA																	0.25pf @ 50V, 1MHz			핀 - 단일	750V				1.2OHM @ 100MA, 100MHz
1N5369B/TR8	-	RFQ	3871	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5369		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000															1.2 v @ 1 a		500 NA @ 36.7 v									51 v	27
APT34M60B	12.6000	RFQ	1663	마이크로 마이크로 기술	MOS 8 ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	APT34M60	MOSFET (금속 (()		TO-247 [B]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		600 v	36A (TC)	10V	190mohm @ 17a, 10V	5V @ 1MA	165 NC @ 10 v	± 30V	6640 pf @ 25 v	-	624W (TC)
jantxv1n6487us	-	RFQ	9115	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	A, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a		35 µa @ 1 v									3.9 v	9 옴
JAN1N983DUR-1/TR	12.7680	RFQ	4000	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N983DUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 62 v									82 v	330 옴
JAN1N970C-1/TR	4.9476	RFQ	8234	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N970C-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		500 na @ 18 v									24 v	33 옴
jantxv1n4099c-1	23.1600	RFQ	7090	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4099		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 5.2 v									6.8 v	200 옴
1N6328DUS	36.5850	RFQ	9584	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-1n6328dus	귀 99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		50 na @ 11 v									15 v	10 옴
JANS1N4982D	374.1920	RFQ	9612	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인									다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4982d	귀 99	8541.10.0050	1
1 pmt4133/tr13	-	RFQ	7955	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4133		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000															1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 66.12 v									87 v	250 옴
MSASC150W45L	235.8300	RFQ	9183	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	Thinkey ™ 3		Schottky		Thinkey ™ 3	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													45 v	760 mV @ 150 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	150a	-
JANS1N6349C	261.5806	RFQ	6166	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANS1N6349C	귀 99	8541.10.0050	1
jantx1n4119ur-1	-	RFQ	8454	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 21.3 v									28 v	200 옴
1N6631U/TR	18.9900	RFQ	8436	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, b		기준		e-melf	-			영향을받지 영향을받지	150-1n6631U/tr	귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v	1.6 V @ 1.4 a	60 ns	4 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.4a	-
jantx1n4135d-1	16.9800	RFQ	2773	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4135		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		10 na @ 76 v									100 v	1600 옴
jantxv1n2970rb	-	RFQ	2140	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N2970		10 W.	DO-213AA (DO-4)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 2 a		150 µa @ 5.2 v									6.8 v	1.2 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²