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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
2N5793AU	71.0700	RFQ	8866	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	6-SMD,, 없음	2N5793		600MW	유	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5793AU	귀 99	8541.21.0095	1																			40V	600ma	10µA (ICBO)			2 NPN (()	900mv @ 30ma, 300ma	40 @ 150ma, 10V	-
JAN1N3174	1.0000	RFQ	3	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/211	대부분	활동적인				섀시, 마운트 스터드	do-205AB, do-9, 스터드		기준		DO-205AB (DO-9)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1000 v		1.55 V @ 940 a		10 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
1N5620/tr	4.7250	RFQ	2499	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				구멍을 구멍을	a, 축 방향		기준		a, 축 방향	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5620/tr	귀 99	8541.10.0080	1		짐									800 v		1.3 v @ 3 a	2 µs	500 NA @ 800 v	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
jantxv1n4122dur-1	36.0000	RFQ	9958	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4122		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 27.4 v							36 v	200 옴
CDS965B-1	-	RFQ	9738	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인										-			영향을받지 영향을받지	150-CDS965B-1	귀 99	8541.10.0050	50
JANS1N4490US/TR	162.1650	RFQ	6759	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-jans1n4490us/tr	귀 99	8541.10.0050	50													1.5 v @ 1 a		250 NA @ 88 v							110 v	300 옴
JANS1N6320D	350.3400	RFQ	8921	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS1N6320D	귀 99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		2 µa @ 4 v							6.8 v	3 옴
UFS340JE3/TR13	1.3050	RFQ	6016	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	DO-214AB, SMC	UFS340	기준		do-214ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.1 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
APTC60AM45B1G	88.3600	RFQ	9646	마이크로 마이크로 기술	Coolmos ™	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		섀시 섀시	SP1	APTC60	MOSFET (금속 (()	250W	SP1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	3 n 채널 (채널 레그 + 부스트 헬기 헬기)		600V	49a	45mohm @ 24.5a, 10V	3.9V @ 3MA	150NC @ 10V	7200pf @ 25v	-
Jankca1n5298	-	RFQ	8769	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankca1n5298	귀 99	8541.10.0070	1																												100V	1.21MA	1.4V
1N5307ur-1/tr	22.0050	RFQ	9736	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N5307		500MW	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5307ur-1/tr	귀 99	8541.10.0070	1																												100V	2.64ma	2V
JAN1N4977DUS	29.4600	RFQ	5418	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	SQ-Mell, e	1N4977		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 1 a		2 µa @ 47.1 v							62 v	42 옴
JANTX2N6383	61.5524	RFQ	3864	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/523	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	2N6383		6 w	TO-204AA (TO-3)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																			40 v	10 a	1MA			npn-달링턴	3V @ 100MA, 10A	1000 @ 5a, 3v	-
JANS1N7052UR-1	162.9150	RFQ	1454	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인										-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1
JANS1N4117-1/tr	31.6700	RFQ	3323	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4117-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		40 µa @ 15 v							25 v	150 옴
jantxv1n5621us	-	RFQ	7900	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/429	대부분	sic에서 중단되었습니다				표면 표면	SQ-Melf, a		기준		D-5A	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									800 v		1.6 V @ 3 a	300 ns	500 NA @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 12v, 1MHz
jantxv1n5617us	16.2600	RFQ	9867	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/429	대부분	활동적인				표면 표면	SQ-Melf, a	1N5617	기준		D-5A	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.6 V @ 3 a	150 ns	500 NA @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1 PMT5942BE3/TR13	0.7350	RFQ	7442	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-216AA	1pmt5942		3 w	DO-216AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 38.8 v							51 v	70 옴
CDLL4615	3.3000	RFQ	3878	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA	CDLL4615		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		2.5 µa @ 1 v							2 v	1250 옴
jantx1n3031dur-1	46.6950	RFQ	7514	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3031		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 22.8 v							30 v	40
1N4943	6.4050	RFQ	4306	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인										-			영향을받지 영향을받지	150-1N4943	귀 99	8541.10.0080	1
CDLL5272D/TR	8.5950	RFQ	8122	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL5272D/TR	귀 99	8541.10.0050	110													1.1 v @ 200 ma		100 na @ 84 v							110 v	750 옴
1N6640US/tr	8.3790	RFQ	1941	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	SQ-Melf, d		기준		D-5D	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n6640US/tr	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									75 v		1 v @ 200 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	300ma	-
1N827-1E3	6.2700	RFQ	3595	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/159	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1N827-1E3	귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v							6.2 v	15 옴
aptdf400ak20g	129.7611	RFQ	4814	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				섀시 섀시	LP4	APTDF400	기준		SP6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 연결 연결 시리즈	200 v	500A	1.1 v @ 400 a	60 ns	750 µa @ 200 v
jantxv1n5291ur-1/tr	40.4100	RFQ	1065	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N5291		500MW	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n5291ur-1/tr	귀 99	8541.10.0070	1																												100V	616µA	1.1V
2N3848	613.4700	RFQ	3141	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		스터드 스터드	TO-211MB, TO-63-4, 스터드			150 W.	To-63	-			영향을받지 영향을받지	150-2N3848	귀 99	8541.29.0095	1																			200 v	20 a	-			PNP	-	-	-
1N2840B	-	RFQ	7701	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	TO-204AD	1N2840		50 W.	TO-204AD (TO-3)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 a		10 µa @ 83.6 v							110 v	30 옴
JANS1N6310	114.5850	RFQ	6916	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	b, 축			500MW	b, 축	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		60 µa @ 1 v							2.7 v	30 옴
1N5943PE3/TR8	0.9150	RFQ	5760	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5943		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v							56 v	86 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²