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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
1N2846B	94.8900	RFQ	2785	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	TO-204AD	1N2846		50 W.	TO-204AD (TO-3)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µa @ 152 v						200 v	100 옴
1N4148UBCCC/TR	27.0900	RFQ	4904	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	3-smd,, 없음	1N4148	기준		UBC	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n4148ubccc/tr	귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	75 v	1A	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 v	-65 ° C ~ 200 ° C
JAN1N3154UR-1	-	RFQ	7461	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/158	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µa @ 5.5 v						8.8 v	15 옴
APT2X61DQ100J	23.3500	RFQ	2497	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인				섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT2X61	기준		ISOTOP®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	1000 v	60a	2.8 V @ 60 a	235 ns	100 @ 1000 v
jantxv1n4493	19.7400	RFQ	3498	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 NA @ 120 v						150 v	700 옴
CD3021B	3.6043	RFQ	6836	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	주사위			1 W.	주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD3021B	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v						11 v	8 옴
jantx1n4988	12.2850	RFQ	5440	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4988		5 w		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µa @ 136.8 v						180 v	450 옴
jantxv1n5306ur-1	40.2450	RFQ	7138	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N5306		500MW	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1																		100V	2.42MA	1.95V
1N4732A	3.1350	RFQ	7308	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	-			영향을받지 영향을받지	1N4732AMS	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v						4.7 v	8 옴
R30720	40.6350	RFQ	9541	마이크로 마이크로 기술	R307	대부분	활동적인				스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	R30720	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐		200 v		1.1 v @ 200 a		25 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	85A	-
jankca1n752a	-	RFQ	1647	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankca1n752a	귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2.5 v						5.6 v	11 옴
1N4751P/TR12	1.8600	RFQ	4551	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4751		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v						30 v	40
1N5822	15.0400	RFQ	100	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/620	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	b, 축	1N5822	Schottky		b, 축	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1N5822ms	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		100 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
JAN1N5550US	-	RFQ	3000	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/420	대부분	sic에서 중단되었습니다				표면 표면	SQ-Mell, e		기준		D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐		200 v		1.2 v @ 9 a	2 µs	1 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
R4230TS	59.8350	RFQ	3614	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	DO-205AA, DO-8, 스터드	R4230	표준, 극성 역		DO-205AA (DO-8)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐		300 v		1.2 v @ 200 a		50 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
APTDF400KK170G	212.9600	RFQ	7321	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				섀시 섀시	LP4	APTDF400	기준		SP6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐	1 음극 음극 공통	1700 v	480A	2.5 V @ 400 a	572 ns	750 µa @ 1700 v
jantxv1n6770r	-	RFQ	6628	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	TO-257-3		기준		TO-257	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1.06 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 120 v	-	8a	150pf @ 5V, 1MHz
MSASC150H45LS	-	RFQ	3948	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인										-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	100
1N4116UR	3.7950	RFQ	6069	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4116		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 18.25 v						24 v	150 옴
jantx1n7050ur-1/tr	10.9650	RFQ	6974	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인										-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n7050ur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1
jantxv1n5969c	-	RFQ	3741	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	e, 축 방향			5 w	e, 축 방향	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		1 ma @ 4.74 v						6.2 v	1 옴
jantx1n5545c-1	19.5300	RFQ	5443	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5545		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		10 na @ 27 v						30 v	100 옴
jantxv1n4113cur-1/tr	25.6690	RFQ	7450	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4113cur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 14.5 v						19 v	150 옴
JAN1N4993CUS	37.3500	RFQ	8014	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µa @ 228 v						300 v	950 옴
1N5364AE3/tr13	-	RFQ	7832	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5364		5 w	T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2266-1n5364AE3/tr13	귀 99	8541.10.0050	1,250					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 23.8 v						33 v	10 옴
1N4454-1	0.9600	RFQ	3073	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4454	기준		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 V @ 10 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	200ma	-
jantxv1n4617dur-1	38.2050	RFQ	6108	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 1 v						2.4 v	1400 옴
JAN1N6770	-	RFQ	6036	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	TO-257-3		기준		TO-257	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1.06 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 120 v	-	8a	150pf @ 5V, 1MHz
JANS1N4113-1/tr	31.6700	RFQ	8890	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4113-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 14.5 v						19 v	150 옴
MV39003-P2715	-	RFQ	8641	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	주사위				칩	-			영향을받지 영향을받지	150-MV39003-P2715	귀 99	8541.10.0040	1										0.6pf @ 4V, 1MHz	하나의	18 v			5.6	C2/C12	3500 @ 4V, 50MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²