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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
JANHCA2N3634	-	RFQ	2079	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANHCA2N3634	귀 99	8541.29.0095	1									140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5ma, 50ma	50 @ 50MA, 10V	-
jantx1n4121dur-1	30.4050	RFQ	1892	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4121		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 25.1 v							33 v	200 옴
1N3650	31.3350	RFQ	6448	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/260	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		DO-203AA (DO-4)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	짐	1000 v	2.2 V @ 10 a		5 µa @ 1000 v	-	3.3a	-
1N4754ap/tr8	1.8900	RFQ	3499	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4754		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 29.7 v							39 v	60 옴
1N3306RB	49.3800	RFQ	1705	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3306		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		125 µa @ 5 v							7.5 v	0.3 옴
CD5349B	5.0274	RFQ	3128	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	주사위			5 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD5349B	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 9.1 v							12 v	2.5 옴
1N5998D	5.1900	RFQ	7979	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5998		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 6.5 v							8.2 v	7 옴
1N6023UR	3.5850	RFQ	2379	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인					1N6023				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1
JANHCA1N4108	13.2734	RFQ	7271	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7 (DO-204AA)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N4108	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		50 na @ 10.65 v							14 v	200 옴
Jan1n6331dus	38.2200	RFQ	8168	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-JAN1N6331DUS	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 15 v							20 v	18 옴
CDLL5545	6.4800	RFQ	4721	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5545		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 24 v							30 v	100 옴
1N4618UR-1	3.4950	RFQ	3081	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 na @ 1 v							2.7 v	1500 옴
Janhca1n4105d	-	RFQ	1551	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N4105D	귀 99	8541.10.0050	100			1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 8.44 v							11 v	200 옴
CDLL4717/tr	3.0989	RFQ	3359	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			500MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4717/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 32.6 v							43 v
1 PMT4117CE3/TR7	0.4950	RFQ	3069	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4117		1 W.	DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 19 v							25 v	150 옴
jantxv1n3039c-1	38.0400	RFQ	8399	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3039		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 47.1 v							62 v	125 옴
CDLL4914/tr	61.3050	RFQ	7633	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 100 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4914/tr	귀 99	8541.10.0050	1					15 µa @ 8 v							12.8 v	25 옴
jantx1n4614dur-1/tr	-	RFQ	6486	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4614dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	100			1.1 v @ 200 ma		3.5 µa @ 1 v							1.8 v	1200 옴
CDLL5532C	12.1950	RFQ	3717	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL5532C	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		50 na @ 10.8 v							12 v	90 옴
Jan1n6637d	-	RFQ	8924	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e, 축 방향			5 w	e, 축 방향	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		5 µa @ 1 v							5.1 v	1.5 옴
JANS1N4473US/TR	77.0102	RFQ	9841	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	A, SQ-Mell	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4473us/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 17.6 v							22 v	14 옴
MSASC25W60K/TR	-	RFQ	5386	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-MSASC25W60K/TR			100
jantxv2n3635	-	RFQ	6722	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	대부분	sic에서 중단되었습니다		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1									140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5ma, 50ma	100 @ 50MA, 10V	-
jantxv1n6774	-	RFQ	5959	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-257-3		기준		TO-257	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.15 V @ 15 a	35 ns	10 µa @ 800 mV	-65 ° C ~ 150 ° C	15a	300pf @ 5V, 1MHz
jantx1n5520bur-1/tr	13.2202	RFQ	2570	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5520bur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 1 v							3.9 v	22 옴
1 pmt4626/tr13	0.4950	RFQ	8861	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4626		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.1 v @ 200 ma		10 µa @ 4 v							5.6 v	1400 옴
jantx2n3501u4	-	RFQ	6406	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/366	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			1 W.	U4	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1									150 v	300 MA	50NA (ICBO)			NPN	400mv @ 15ma, 150ma	100 @ 150ma, 10V	-
jantx1n4466us/tr	14.5050	RFQ	7983	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-jantx1n4466us/tr	귀 99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		300 NA @ 8.8 v							11 v	6 옴
JANS2N5796A	403.6818	RFQ	1865	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/496	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N5796		600MW	To-78-6	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1									60V	600ma	10µA (ICBO)			2 PNP (()	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
CDLL6858/tr	13.8900	RFQ	9428	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AA		Schottky		DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL6858/tr	귀 99	8541.10.0070	100	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	50 v	650 mV @ 15 mA		200 na @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	75MA	4.5pf @ 0v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²