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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 현재 (amp)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	노이즈 노이즈	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	입력 입력 (cie) @ vce
jantx1n966b-1	2.2650	RFQ	1007	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N966			500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		500 na @ 12 v											16 v	17 옴
jantxv1n982cur-1	19.3800	RFQ	4797	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 2%		-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N982			500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 56 v											75 v	270 옴
APT35GT120JU3	24.4800	RFQ	7246	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	동위 동위	APT35GT120			260 W.	기준	SOT-227	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	하나의																트렌치 트렌치 정지	1200 v	55 a	2.1V @ 15V, 35A		5 MA	아니요			2.53 NF @ 25 v
1N3767	59.5650	RFQ	4052	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3767		기준			do-203ab (Do-5)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N3767ms	귀 99	8541.10.0080	1		짐							900 v		1.19 v @ 90 a		10 µa @ 900 v	-65 ° C ~ 200 ° C	40a	-
1N6921UTK4AS	259.3500	RFQ	6543	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인												-			영향을받지 영향을받지	150-1N6921UTK4AS			1
1N5922BPE3/tr8	0.9450	RFQ	2618	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5922			1.5 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500											1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 6 v											7.5 v	3 옴
JANS1N4103-1	34.0950	RFQ	5256	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW		DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		500 na @ 7 v											9.1 v	200 옴
jantxv1n3823d-1	36.1800	RFQ	6180	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 1%		-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3823			1 W.		DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		25 µa @ 1 v											3.9 v	9 옴
1N5944PE3/TR12	0.9150	RFQ	5209	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%		-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5944			1.5 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 47.1 v											62 v	100 옴
JAN1N982BUR-1	4.4400	RFQ	5086	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N982			500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 56 v											75 v	270 옴
2731GN-120V	-	RFQ	7804	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		125 v		표면 표면	55-QP		2.7GHz ~ 3.1GHz	헴			55-QP	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-2731GN-120V	귀 99	8541.29.0095	5			-	30 MA	145W	16.5dB	-														50 v
jantxv1n987b-1/tr	-	RFQ	4129	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n987b-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1											1.3 v @ 200 ma		5 µa @ 91.2 v											120 v	900 옴
1N2980B	-	RFQ	9531	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N2980			10 W.		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 2 a		10 µa @ 12.2 v											16 v	4 옴
MBR30200CTE3/TU	1.7250	RFQ	7453	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인				구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR30200		Schottky			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)						1 음극 음극 공통	200 v	15a	900 mV @ 15 a		50 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
ARF1501	325.5300	RFQ	39	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인		1000 v			T-1	ARF1501	27.12MHz	MOSFET			T-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	ARF1501ms	귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		30A		750W	17dB	-														250 v
1N1616	38.0550	RFQ	1560	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N1616		기준			DO-203AA (DO-4)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐							600 v		1.5 v @ 15 a		50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
jantx1n5541dur-1/tr	42.0014	RFQ	3912	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%		-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)				500MW		DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5541dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 na @ 19.8 v											22 v	100 옴
jantx1n4954/tr	5.6924	RFQ	3243	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향				5 w			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4954/tr	귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a		150 µa @ 5.2 v											6.8 v	1 옴
jantx1n5538d-1	21.9150	RFQ	9679	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%		-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5538			500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 na @ 16.2 v											18 v	100 옴
APTGT150DH120G	217.1500	RFQ	4409	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			-	섀시 섀시	SP6	APTGT150			690 W.	기준	SP6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	비대칭 비대칭																트렌치 트렌치 정지	1200 v	220 a	2.1V @ 15V, 150A		350 µA	아니요			10.7 NF @ 25 v
jantx1n748dur-1	15.0750	RFQ	4784	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	대부분	활동적인	± 1%		-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N748			500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v											3.9 v	23 옴
CDLL5936C	7.8450	RFQ	5092	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%		-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5936			1.25 w		do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 22.8 v											30 v	28 옴
R2150	33.4500	RFQ	4272	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인												-			영향을받지 영향을받지	150-R2150			1
1N4371E3/tr	2.8350	RFQ	6991	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%		-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n4371e3/tr	귀 99	8541.10.0050	334											1.1 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v											2.7 v	30 옴
APT30D100BCTG	6.0400	RFQ	63	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인				구멍을 구멍을	TO-247-3	apt30		기준			TO-247 [B]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)						1 음극 음극 공통	1000 v	30A	2.3 V @ 30 a	290 ns	250 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C
1N4588R	102.2400	RFQ	5086	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	DO-205AA, DO-8, 스터드			표준, 극성 역			DO-205AA (DO-8)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n4588R	귀 99	8541.10.0080	1		짐							200 v		1.1 v @ 200 a		50 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
JAN1N5524D-1	17.6700	RFQ	4791	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%		-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5524			500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 3.5 v											5.6 v	30 옴
MBR2050CTE3/TU	1.1700	RFQ	5565	마이크로 마이크로 기술	*	튜브	활동적인						MBR2050						-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000
jantxv1n6327d	45.0600	RFQ	3169	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW		DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n6327d	귀 99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		50 na @ 9.9 v											13 v	8 옴
JAN1N3826CUR-1/TR	31.6274	RFQ	7274	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%		-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)				1 W.		do-213ab (Melf, LL41)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N3826CUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v											5.1 v	7 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²