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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
JAN1N6872UTK2AS/TR	364.6950	RFQ	2134	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-JAN1N6872UTK2AS/TR			100
Jan1n2992b	-	RFQ	6851	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	DO-213AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µa @ 29.7 v							39 v	11 옴
jantx1n4572a-1	8.5500	RFQ	9713	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/452	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4572		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					2 µa @ 3 v							3 v	100 옴
CDLL5242B	3.2100	RFQ	112	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5242		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v							12 v	30 옴
CDLL5238B/TR	2.7132	RFQ	4067	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			10 MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5238B/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6.5 v							8.7 v	8 옴
JAN1N5529D-1	17.6700	RFQ	3120	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5529		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 8.2 v							9.1 v	45 옴
UZ5138	32.2650	RFQ	3779	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	b, 축			5 w	b, 축	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ5138	귀 99	8541.10.0050	1					5 µa @ 289 v							380 v	1500 옴
JANS1N4132C-1/TR	63.1902	RFQ	9541	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANS1N4132C-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 62.4 v							82 v	800 옴
1N5279A	3.1200	RFQ	4471	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5279		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 137 v							180 v	2200 옴
1N1346C	45.3600	RFQ	4508	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N1346	기준		DO-4 (DO-203AA)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐	400 v	1.3 V @ 30 a		10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
smbj4735/tr13	0.8700	RFQ	8966	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4735		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v							6.2 v	2 옴
CD5349B	5.0274	RFQ	3128	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	주사위			5 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD5349B	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 9.1 v							12 v	2.5 옴
JANS2N5796A	403.6818	RFQ	1865	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/496	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N5796		600MW	To-78-6	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1									60V	600ma	10µA (ICBO)			2 PNP (()	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
1 PMT4135C/TR13	1.2450	RFQ	9753	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4135		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 76 v							100 v	250 옴
jantx1n4463d	28.7550	RFQ	1193	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4463		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1 v @ 200 ma		500 NA @ 4.92 v							8.2 v	3 옴
CD750	1.6950	RFQ	9975	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-CD750	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 1.5 v							4.7 v	19 옴
1N6030B	2.7750	RFQ	4214	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6030		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 137 v							180 v	1700 옴
jantxv1n6348/tr	13.1404	RFQ	5809	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n6348/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 76 v							100 v	340 옴
jantxv1n5418us/tr	16.2300	RFQ	3400	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/411	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SQ-Mell, e		기준		D-5B	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n5418us/tr	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	400 v	1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1 PMT4134C/TR13	1.2450	RFQ	3283	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4134		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 69.16 v							91 v	250 옴
jantxv1n4956dus	33.0450	RFQ	6049	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4956dus	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 µa @ 6.2 v							8.2 v	1.5 옴
1N992B/tr	9.2967	RFQ	8718	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n992b/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 152 v							200 v	2500 옴
1N6079US	36.6150	RFQ	3302	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Mell, g	1N6079	기준		G-Mell (D-5C)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.5 V @ 37.7 a	30 ns	10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 155 ° C	2A	-
JANHCA2N3634	-	RFQ	2079	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANHCA2N3634	귀 99	8541.29.0095	1									140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5ma, 50ma	50 @ 50MA, 10V	-
1N4554RB	54.1050	RFQ	3734	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N4554		500MW	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		20 µa @ 2 v							6.2 v	0.14 옴
JANSL2N5153U3	229.9812	RFQ	6434	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/545	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			1.16 w	U3	-			영향을받지 영향을받지	150-jansl2N5153U3			1									80 v	2 a	50µA			PNP	1.5v @ 500ma, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
1N5922BUR-1	4.0650	RFQ	2416	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	1N5922		1.25 w	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 6 v							7.5 v	3 옴
1N1190R	74.5200	RFQ	3382	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N1190	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N1190RMS	귀 99	8541.10.0080	1	짐	600 v	1.4 V @ 110 a		10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	35a	-
jantxv1n6317d	45.0600	RFQ	3449	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6317		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		5 µa @ 2 v							5.1 v	14 옴
1N5364/tr8	2.6250	RFQ	5504	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5364		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 23.8 v							33 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²