RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CD4776	18.4950	RFQ	2183	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위				주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-CD4776	귀 99	8541.10.0050	1																			8.5 v	350 옴
CDS5526BUR-1	-	RFQ	4691	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS5526BUR-1	귀 99	8541.10.0050	50
jantx1n4583a-1/tr	10.1400	RFQ	5299	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/452	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4583a-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v				3 v	25 옴
JANHCA1N4131C	-	RFQ	7587	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N4131C	귀 99	8541.10.0050	100														1.1 v @ 200 ma	10 na @ 57 v				75 v	700 옴
JAN1N6942UTK3AS	-	RFQ	6432	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	Thinkey ™ 3		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		Thinkey ™ 3	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												45 v	460 mV @ 50 a	5 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 175 ° C	150a	7000pf @ 5V, 1MHz
JANS1N941B-1	-	RFQ	8689	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/157	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N941		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															15 µa @ 8 v				11.7 v	30 옴
MIC94050YM4-TR	0.6000	RFQ	14	마이크로 마이크로 기술	Symfet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	MIC94050	MOSFET (금속 (()		SOT-143	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	6 v	1.8A (TA)	1.8V, 4.5V	160mohm @ 100ma, 4.5v	1.2V @ 250µA		6V	600 pf @ 5.5 v	-	568MW (TA)
JAN1N3051CUR-1	-	RFQ	8125	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인									-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1
JANTX1N945B-1	-	RFQ	1217	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/157	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															15 µa @ 8 v				11.7 v	30 옴
1N4121UR	3.7950	RFQ	5484	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4121		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 25.08 v				33 v	200 옴
1N4103-1/tr	2.3408	RFQ	4563	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4103-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma	500 na @ 7 v				9.1 v	200 옴
UZ120SMT2	33.3150	RFQ	2589	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, a			3 w	A, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ120SMT2	귀 99	8541.10.0050	1															1 µa @ 152 v				200 v	950 옴
1N5936BUR-1	4.5300	RFQ	7803	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	1N5936		1.25 w	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 22.8 v				30 v	28 옴
jantxv1n6663	-	RFQ	7572	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	짐												600 v	1 V @ 400 mA	50 na @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	-
CD965A	1.6950	RFQ	1179	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-CD965A	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 200 ma	500 na @ 11 v				15 v	16 옴
1N5819-1/tr	8.1900	RFQ	5353	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5819	Schottky		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5819-1/tr	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												45 v	340 mV @ 1 a	50 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	70pf @ 5V, 1MHz
JAN1N4134-1	4.1100	RFQ	3018	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4134			DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 69.2 v				91 v	1200 옴
JAN1N4988US	13.2600	RFQ	4390	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4988		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a	2 µa @ 136.8 v				180 v	450 옴
VN0550N3-G	1.8500	RFQ	740	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	VN0550	MOSFET (금속 (()		To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	50MA (TJ)	5V, 10V	60ohm @ 50ma, 10V	4V @ 1MA		± 20V	55 pf @ 25 v	-	1W (TC)
CDS3824A-1	-	RFQ	6394	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS3824A-1	귀 99	8541.10.0050	50
CDLL6335	14.6400	RFQ	4606	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL6335		500MW	do-213ab	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma	50 na @ 23 v				30 v	32 옴
JANS1N4109UR-1	49.4550	RFQ	2693	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA	1N4109		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma	50 NA @ 11.4 v				15 v	100 옴
CDLL4575	7.3800	RFQ	6075	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-	0 ° C ~ 75 ° C	표면 표면	DO-213AA	CDLL4575		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v					50 옴
1N4760APE3/tr8	0.9450	RFQ	8499	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4760		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500														1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 51.7 v				68 v	150 옴
1N2992B	-	RFQ	7563	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N2992		10 W.	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 2 a	10 µa @ 29.7 v				39 v	11 옴
APT17F100B	9.9900	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	APT17F100	MOSFET (금속 (()		TO-247 [B]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	1000 v	17A (TC)	10V	800mohm @ 9a, 10V	5V @ 1MA	150 nc @ 10 v	± 30V	4845 pf @ 25 v	-	625W (TC)
jantxv1n4109ur-1	11.5950	RFQ	7755	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4109		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma	50 NA @ 11.4 v				15 v	100 옴
CDLL5526	6.4800	RFQ	2976	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5526		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma	1 µa @ 5.5 v				6.8 v	30 옴
1N5366C/TR8	3.3900	RFQ	9070	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5366		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000														1.2 v @ 1 a	500 NA @ 28.1 v				39 v	14 옴
CDS976B-1	-	RFQ	5341	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS976B-1	귀 99	8541.10.0050	50

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²