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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CD6485	3.5112	RFQ	8499	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	표면 표면	주사위				주사위	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD6485	귀 99	8541.10.0050	1
jantx1n3045cur-1	37.3500	RFQ	6887	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3045		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 83.6 v							110 v	450 옴
jantx1n4618-1/tr	4.9210	RFQ	9319	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4618-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1				500 na @ 1 v							2.7 v	1500 옴
JANS2N3421	65.2800	RFQ	2362	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/393	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			1 W.	TO-5AA	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS2N3421			1								80 v	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200ma, 2a	40 @ 1a, 2v	-
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CD5529B	2.0482	RFQ	4528	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD5529B	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma	100 na @ 8.2 v							9.1 v	45 옴
JANS1N4121CUR-1/TR	91.5802	RFQ	2551	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4121cur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma	10 na @ 25.1 v							33 v	200 옴
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JAN1N4977	-	RFQ	1645	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향			5 w		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	2 µa @ 47.1 v							62 v	42 옴
jantxv1n4493d	41.2350	RFQ	2853	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향			1.5 w	DO-41	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4493d	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	250 NA @ 120 v							150 v	700 옴
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2N657	35.8169	RFQ	7800	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인					2N657				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
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jantxv1n6311cus	54.8400	RFQ	8150	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6311		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a	30 µa @ 1 v							3 v	29 옴
jantx1n6345c	29.2350	RFQ	5704	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n6345c	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a	50 na @ 56 v							75 v	180 옴
1N4050	158.8200	RFQ	6652	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-205AB, do-9, 스터드		기준		DO-205AB (DO-9)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1N4050	귀 99	8541.10.0080	1	짐	400 v	1.3 v @ 300 a	75 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 190 ° C	275A	-
1 pmt4133/tr13	-	RFQ	7955	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4133		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 66.12 v							87 v	250 옴
JAN1N5529C-1	14.1300	RFQ	4713	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5529		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma	100 na @ 8.2 v							9.1 v	45 옴
1N6328DUS	36.5850	RFQ	9584	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-1n6328dus	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a	50 na @ 11 v							15 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²