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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
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1N4756AP/TR12	1.8900	RFQ	3433	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4756		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 35.8 v							47 v	80 옴
jantx1n4973dus/tr	30.9000	RFQ	5220	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-				150-jantx1n4973dus/tr	귀 99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		2 µa @ 32.7 v							43 v	20 옴
Jan1n3997a	-	RFQ	6606	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	DO-213AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µa @ 1 v							5.6 v	1 옴
JAN1N3313B	-	RFQ	6924	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3313		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µa @ 11.4 v							14 v	1.2 옴
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jantx1n4626-1	6.2000	RFQ	448	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4626		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 µa @ 4 v							5.6 v	1400 옴
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1 PMT5946A/TR13	-	RFQ	5020	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5946		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v							75 v	140 옴
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Jan1n6633d	-	RFQ	4288	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e, 축 방향			5 w	e, 축 방향	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 µa @ 1 v							3.6 v	2.5 옴
CDLL3020	14.7300	RFQ	3379	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL3020		1 W.	do-213ab	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 7.6 v							10 v	7 옴
JANS1N6311CUS	516.5250	RFQ	9315	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	쟁반	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6311		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		30 µa @ 1 v							3 v	29 옴
JAN1N6323CUS	63.7050	RFQ	1594	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-JAN1N6323CUS	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		1 µa @ 7 v							9.1 v	6 옴
JANS1N4620C-1	124.5750	RFQ	3606	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		3.5 µa @ 1.5 v							3.3 v	1650 옴
Jan1n3170r	-	RFQ	8784	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/211	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-205AB, do-9, 스터드		기준		DO-205AB (DO-9)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐	600 v	1.55 V @ 940 a		10 ma @ 600 v	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²