전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantx1n6488dus/tr | - | ![]() | 4273 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | 150-jantx1n6488dus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 9 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N2809A | 94.8900 | ![]() | 2703 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N2809 | 50 W. | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 8.4 v | 11 v | 0.8 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 1N6345DUS/TR | 36.7650 | ![]() | 8971 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1N6345DUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 56 v | 75 v | 180 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1 pmt5935/tr13 | 2.2200 | ![]() | 7112 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5935 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 20.6 v | 27 v | 23 옴 | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n4370dur-1/tr | 25.8153 | ![]() | 9318 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n4370dur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 2.4 v | 30 옴 | |||||||||||||||||
jantx1n973c-1/tr | 4.7747 | ![]() | 7387 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANTX1N973C-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 na @ 25 v | 33 v | 58 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n989dur-1 | - | ![]() | 4560 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 v @ 200 ma | 500 NA @ 114 v | 150 v | 1500 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5806URS/TR | 32.5400 | ![]() | 3302 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 기준 | A, SQ-Mell | - | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5076 | 287.8650 | ![]() | 5905 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-210AA, TO-59-4, 스터드 | 40 W. | To-59 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5076 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 3 a | - | NPN | 2V @ 300µA, 500µA | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N5935P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 4185 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5935 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 20.6 v | 28 v | 23 옴 | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n5543b-1/tr | 7.6741 | ![]() | 2546 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | Do-204AH (DO-35 유리) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n5543b-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 22.4 v | 25 v | 100 옴 | |||||||||||||||||
![]() | CD4728 | 2.0700 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 1 W. | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4728 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 3.3 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4995DUS/TR | - | ![]() | 7331 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 5 w | e-melf | 다운로드 | 150-JANS1N4995DUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 274 v | 360 v | 1400 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5938APE3/tr12 | 0.9150 | ![]() | 3875 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5938 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 27.4 v | 36 v | 38 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5921CE3/TR13 | - | ![]() | 1252 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5921 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5 옴 | ||||||||||||||||
jantx1n4104c-1/tr | 10.9459 | ![]() | 4339 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n4104c-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 7.6 v | 10 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||
1N746AE3/tr | 2.5200 | ![]() | 1175 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n746AE3/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 374 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 28 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5340A/TR8 | 2.6250 | ![]() | 7244 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5340 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 3 v | 6 v | 1 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5361AE3/tr13 | 0.9900 | ![]() | 2421 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5361 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 19.4 v | 27 v | 5 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5991D/TR | 4.7747 | ![]() | 9417 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5991d/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 88 옴 | |||||||||||||||||
![]() | JAN1N4553RB | - | ![]() | 4187 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/358 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 50 W. | DO-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 20 µa @ 1 v | 5.6 v | 0.12 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5934B/TR13 | 2.2200 | ![]() | 4189 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5934 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | ||||||||||||||||
![]() | MSR2N3501UB | 98.5929 | ![]() | 8851 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-msr2n3501ub | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5924BE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 5194 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ5924 | 3 w | DO-214AC (SMAJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 7 v | 9.1 v | 4 옴 | ||||||||||||||||
jantxv1n4104-1 | - | ![]() | 3199 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 7.6 v | 10 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||
Jan1n5618us/tr | 8.5800 | ![]() | 4838 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/427 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 기준 | D-5A | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N5618US/TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 600 v | 1.3 v @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 600 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||
jantx1n4621d-1 | 15.5700 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4621 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 3.5 µa @ 2 v | 3.6 v | 1700 옴 | ||||||||||||||||||
JAN1N6485CUS | - | ![]() | 7050 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | A, SQ-Mell | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µa @ 1 v | 3.3 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N3043A-1 | 8.1900 | ![]() | 8938 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do041, 축 방향 | 1N3043 | 1 W. | DO-41 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1N3043A-1 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 69.2 v | 91 v | 250 옴 | |||||||||||||||||
![]() | JANS1N4958DUS | 527.9550 | ![]() | 8254 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N4958DUS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µa @ 7.6 v | 10 v | 2 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고