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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | CDLL3039B/TR | 13.7522 | ![]() | 9729 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 1 W. | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL3039B/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 47.1 v | 62 v | 125 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4121CUR-1 | 98.9100 | ![]() | 2167 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 25.1 v | 33 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5927P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 9777 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5927 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 6.5 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6352cus | - | ![]() | 6018 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 114 v | 141 v | 1000 옴 | ||||||||||||||||||||
jantxv1n6490cus/tr | - | ![]() | 7834 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | 150-jantxv1n6490cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 µa @ 1 v | 5.1 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||
jantxv1n6332us/tr | 22.6800 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantxv1n6332us/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||
APT100GLQ65JU3 | 28.2300 | ![]() | 1224 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT100 | 430 w | 기준 | ISOTOP® | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q10742722 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 165 a | 2.3V @ 15V, 1000A | 50 µA | 아니요 | 6.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||
![]() | jantx1n2811rb | - | ![]() | 7787 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/114 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N2811 | 10 W. | TO-204AD (TO-3) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 9.9 v | 13 v | 1.1 | |||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6337DUS | 492.3904 | ![]() | 5707 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N6337DUS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 27 v | 36 v | 50 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | CDLL6331/tr | 13.1404 | ![]() | 4592 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 500MW | do-213ab | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL6331/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 15 v | 20 v | 18 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | CDLL5535D/TR | 16.3950 | ![]() | 6629 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5535D/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 13.5 v | 15 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | MNS1N4567DUR-1/TR | 70.2150 | ![]() | 4414 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mns1n4567dur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4110C/TR13 | 1.2450 | ![]() | 3731 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | PowerMite® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt4110 | 1 W. | DO-216 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 v @ 200 ma | 50 NA @ 12.15 v | 16 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3347A | 49.3800 | ![]() | 1275 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N3347 | 50 W. | DO-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 121.6 v | 160 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||
1N5265/tr | 2.2950 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5265/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 45 v | 62 v | 185 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5929AE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 4860 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5929 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 11.4 v | 15 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||
MSC2X50SDA070J | 47.7600 | ![]() | 70 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MSC2X50 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | SOT-227 (ISOTOP®) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC2X50SDA070J | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 2 독립 | 700 v | 50A (DC) | 1.8 V @ 50 a | 0 ns | 200 µa @ 700 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||
![]() | CDS979B-1/TR | - | ![]() | 8272 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDS979B-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4747AE3 | 3.5250 | ![]() | 2221 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | - | - | - | - | 1N4747 | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N4747AE3MS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
JANS1N4988D | 519.7200 | ![]() | 4927 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N4988D | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 136.8 v | 180 v | 450 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | CD965B | 1.5162 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD965B | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 16 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | MSASC75H100FX/TR | - | ![]() | 2027 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSASC75H100FX/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n4582a-1/tr | 11.6250 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/452 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4582a-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 25 옴 | |||||||||||||||||||||
1N4100-1 | 2.4750 | ![]() | 5642 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4100 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 5.7 v | 7.5 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n2995rb | - | ![]() | 8509 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/124 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 10 W. | DO-213AA (DO-4) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 35.8 v | 47 v | 14 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5521cur-1/tr | 44.0363 | ![]() | 2607 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n5521cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 1.5 v | 4.3 v | 18 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N6330US/tr | 15.0600 | ![]() | 9066 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n6330us/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 14 v | 18 v | 14 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4922/tr | 20.2950 | ![]() | 1673 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -25 ° C ~ 100 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4922/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 150 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4109ur/tr | 3.5644 | ![]() | 3098 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4109ur/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 NA @ 11.4 v | 15 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | R3750 | 49.0050 | ![]() | 3623 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-R3750 | 1 |
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