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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
jantxv1n975dur-1	24.2250	RFQ	1812	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N975		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 30 v							39 v	80 옴
jantx1n5528b-1/tr	5.5328	RFQ	2397	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5528b-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 7.5 v							8.2 v	40
1N5348BE3/tr13	0.9900	RFQ	7529	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5348		5 w	T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,250													1.2 v @ 1 a		5 µa @ 8 v							11 v	2.5 옴
1N5251	2.2650	RFQ	3953	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5251	귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 200 ma		100 na @ 16.2 v							22 v	29 옴
CDLL4583A	18.4950	RFQ	5011	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-	-55 ° C ~ 100 ° C	표면 표면	DO-213AA	CDLL4583		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v								25 옴
MSASC25W60K/TR	-	RFQ	5386	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-MSASC25W60K/TR			100
CDLL5545	6.4800	RFQ	4721	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5545		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 24 v							30 v	100 옴
jantx1n4466us/tr	14.5050	RFQ	7983	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-jantx1n4466us/tr	귀 99	8541.10.0050	100													1.5 v @ 1 a		300 NA @ 8.8 v							11 v	6 옴
1N5254BUR-1/TR	3.0900	RFQ	3930	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-					귀 99	8541.10.0050	323													1.1 v @ 200 ma		100 na @ 21 v							27 v	41 옴
jantxv1n3026d-1	-	RFQ	3661	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 13.7 v							18 v	20 옴
1N944	33.1350	RFQ	4354	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N944		500MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															15 µa @ 8 v							11.7 v	30 옴
1N823UR-1/TR	4.9500	RFQ	6714	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n823ur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v							6.2 v	15 옴
CDLL3032B	15.3000	RFQ	1680	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL3032		1 W.	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 25.1 v							33 v	45 옴
1 PMT4117CE3/TR7	0.4950	RFQ	3069	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4117		1 W.	DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 19 v							25 v	150 옴
SMAJ4751AE3/TR13	0.6450	RFQ	9401	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4751		2 w	DO-214AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v							30 v	40
60HQ100	140.8500	RFQ	5013	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		Schottky		DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	60hq100ms	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											100 v	890 MV @ 60 a			-	60a	-
DN2535N5-G	1.6900	RFQ	162	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	DN2535	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	350 v	500MA (TJ)	0V	25ohm @ 120ma, 0v	-	± 20V	300 pf @ 25 v	고갈 고갈	15W (TC)
jantx1n4131-1	-	RFQ	9462	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 57 v							75 v	700 옴
1N4754ap/tr8	1.8900	RFQ	3499	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4754		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 29.7 v							39 v	60 옴
1 pmt4626/tr13	0.4950	RFQ	8861	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4626		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000													1.1 v @ 200 ma		10 µa @ 4 v							5.6 v	1400 옴
jantx2n3501u4	-	RFQ	6406	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/366	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			1 W.	U4	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																			150 v	300 MA	50NA (ICBO)			NPN	400mv @ 15ma, 150ma	100 @ 150ma, 10V	-
1 PMT5927BE3/TR13	-	RFQ	5061	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5927		3 w	DO-216AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v							12 v	6.5 옴
jantx2n5154p	20.5352	RFQ	6158	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/544	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx2n5154p			1																			80 v	2 a	50µA			NPN	1.5v @ 500ma, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
jantx1n4614dur-1/tr	-	RFQ	6486	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4614dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	100													1.1 v @ 200 ma		3.5 µa @ 1 v							1.8 v	1200 옴
JANS1N4473US/TR	77.0102	RFQ	9841	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	A, SQ-Mell	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4473us/tr	귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 1 a		50 na @ 17.6 v							22 v	14 옴
Jan1n4483dus/tr	34.7550	RFQ	3158	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4483DUS/TR	귀 99	8541.10.0050	100													1.5 v @ 1 a		250 NA @ 44.8 v							56 v	70 옴
jantxv1n6774	-	RFQ	5959	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-257-3		기준		TO-257	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											50 v	1.15 V @ 15 a	35 ns	10 µa @ 800 mV	-65 ° C ~ 150 ° C	15a	300pf @ 5V, 1MHz
CDLL5519A/TR	5.9052	RFQ	8999	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			500MW	do-213ab	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5519A/TR	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 900 mV							3.6 v	24 옴
1N3306RB	49.3800	RFQ	1705	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3306		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 a		125 µa @ 5 v							7.5 v	0.3 옴
jantx1n823aur-1/tr	6.6600	RFQ	6395	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/159	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n823aur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	118															2 µa @ 3 v							6.2 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²