전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CDLL5531 | 6.4800 | ![]() | 6051 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5531 | 500MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 9 v | 11 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4756UR-1/TR | 3.6200 | ![]() | 1985 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 35.8 v | 47 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1nnn4496dus/tr | 56.5650 | ![]() | 1482 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | 150-jantxv1n4496dus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 NA @ 160 v | 200 v | 1500 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5928bur-1/tr | 3.1800 | ![]() | 2617 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1.25 w | do-213ab (Melf, LL41) | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 313 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.9 v | 13 v | 7 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS748A-1/TR | - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDS748A-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4734AGE3/tr | 3.5250 | ![]() | 7287 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do041, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4734age3/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 269 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 2 v | 5.6 v | 5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSM3100GE3/TR13 | 1.0200 | ![]() | 2821 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-215AB, SMC GULL WING | HSM3100 | Schottky | do-215ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 810 mV @ 3 a | 100 @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n4992dus/tr | 46.8450 | ![]() | 6171 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 150-JAN1N4992DUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 206 v | 270 v | 800 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5936A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 9405 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5936 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 22.8 v | 30 v | 28 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5266BUR-1 | 3.5850 | ![]() | 9753 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5266 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 52 v | 68 v | 230 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6510 | 78.7200 | ![]() | 3086 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 120 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6510 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 7 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4135UR/tr | 3.3900 | ![]() | 9364 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-STD-750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | 150-1n4135ur/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 291 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 76 v | 100 v | 1500 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4478c | 30.7500 | ![]() | 5946 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4478 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 NA @ 28.8 v | 36 v | 27 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4102C/TR13 | 1.2450 | ![]() | 3526 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | PowerMite® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt4102 | 1 W. | DO-216 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 6.61 v | 8.7 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3009B | - | ![]() | 7643 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/124 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 10 W. | DO-213AA (DO-4) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 98.8 v | 130 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
1N4575AE3/tr | 4.4400 | ![]() | 3403 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4575AE3/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 213 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 50 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
jankccr2n3499 | - | ![]() | 3622 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccr2n3499 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4123UR-1 | 3.7950 | ![]() | 2945 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N4123 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 29.7 v | 39 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N5189 | 9.4800 | ![]() | 6868 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/424 | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 1N5189 | 기준 | b, 축 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 500 v | 2 V @ 9 a | 300 ns | 2 µa @ 500 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ5814 | 32.2650 | ![]() | 6677 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 5 w | b, 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UZ5814 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 µa @ 10.6 v | 14 v | 3 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT38M50J | 28.6900 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT38M50 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 38A (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10V | 5V @ 2.5MA | 220 NC @ 10 v | ± 30V | 8800 pf @ 25 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | jankca1n4112d | - | ![]() | 2847 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca1n4112d | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 v @ 200 ma | 50 NA @ 13.67 v | 18 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5949C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 7694 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5949 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 76 v | 100 v | 250 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n966cur-1/tr | 17.3166 | ![]() | 8539 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n966cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 na @ 12 v | 16 v | 17 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
UZ806 | 22.4400 | ![]() | 9778 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | a, 축 방향 | 3 w | a, 축 방향 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UZ806 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4623V | 4.1550 | ![]() | 7250 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4623V | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 4 µa @ 2 v | 4.3 v | 1600 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5276 | 3.5850 | ![]() | 1821 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5276 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 108 v | 150 v | 1500 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
1N822 | 4.7550 | ![]() | 1212 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N822 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6561 | 148.1850 | ![]() | 3530 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 125 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6561 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 10 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
1N5746B/tr | 2.0400 | ![]() | 2765 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5746b/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 463 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 19 v | 27 v | 80 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고