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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | CD4150V | 2.8350 | ![]() | 4165 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 주사위 | 기준 | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4150V | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 1 v @ 200 ma | 4 ns | 100 na @ 50 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 200ma | 2.5pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||
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![]() | jantx1n4120ur-1 | 9.4950 | ![]() | 9239 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N4120 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 22.8 v | 30 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||
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![]() | JANS1N4108CUR-1/TR | 91.5802 | ![]() | 3902 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n4108cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 10.7 v | 14 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3026c-1/tr | 22.7962 | ![]() | 4340 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n3026c-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 13.7 v | 18 v | 20 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | JAN1N6344CUS | 63.7050 | ![]() | 4273 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N634444CUS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 52 v | 68 v | 155 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4549A | 53.5800 | ![]() | 4365 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N4549 | 50 W. | DO-5 (DO-203AB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 150 µa @ 500 mV | 3.9 v | 0.16 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | JANS1N829UR-1 | 291.2700 | ![]() | 6269 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/159 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||
jantxv1n4957c | 19.1850 | ![]() | 5895 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4957c | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µa @ 6.9 v | 9.1 v | 2 옴 | |||||||||||||||||||||
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![]() | SMBG5341C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 4864 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5341 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 3 v | 6.2 v | 1 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | UES2603HR2 | 92.0250 | ![]() | 9521 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 기준 | TO-3 | - | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2266-uES2603HR2 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 930 MV @ 15 a | 35 ns | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||||||||||
![]() | JANS1N7049-1/tr | 153.2700 | ![]() | 7631 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n7049-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6301p | 46.4835 | ![]() | 7137 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 75 w | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n6301p | 1 | 80 v | 8 a | 500µA | npn-달링턴 | 3v @ 80ma, 8a | 750 @ 4a, 3v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | UZ7733 | 468.9900 | ![]() | 3299 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 스터드 스터드 | 마개 | 10 W. | 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UZ7733 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 25.1 v | 33 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||
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JAN1N4990DUS | 30.1500 | ![]() | 1473 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4990 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 167 v | 220 v | 550 옴 | |||||||||||||||||||
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![]() | 802-1 | 236.6248 | ![]() | 4946 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, MA | 기준 | 엄마 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-802-1 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 950 MV @ 10 a | 20 µa @ 50 v | 35 a | 단일 단일 | 50 v | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4111UR-1 | 3.7950 | ![]() | 5449 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N4111 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 13 v | 17 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6821R | 259.3500 | ![]() | 5515 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | Thinkey ™ 3 | Schottky, 역, | Thinkey ™ 3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n6821R | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 600 mV @ 150 a | 10 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||
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![]() | 1 PMT4129E3/TR7 | - | ![]() | 4385 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | PowerMite® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt4129 | 1 W. | DO-216 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 47.1 v | 62 v | 250 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL3039B/TR | 13.7522 | ![]() | 9729 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 1 W. | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL3039B/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 47.1 v | 62 v | 125 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4121CUR-1 | 98.9100 | ![]() | 2167 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 25.1 v | 33 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5927P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 9777 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5927 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 6.5 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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