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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
jantxv1n3021b-1/tr	10.6799	RFQ	5450	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n3021b-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 8.4 v							11 v	8 옴
CDS974BUR-1	-	RFQ	4141	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-	-	표면 표면	DO-213AA				DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDS974BUR-1	귀 99	8541.10.0050	50
MSASC25H15KV/TR	244.8750	RFQ	4276	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MSASC25H15KV/TR			1
JANHCA1N4371D	-	RFQ	7691	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N4371D	귀 99	8541.10.0050	100			1.1 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v							2.7 v	30 옴
1N5279B/tr	2.9260	RFQ	4390	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5279b/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 137 v							180 v	2200 옴
SMBJ5954B/TR13	1.5600	RFQ	1333	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5954		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 121.6 v							160 v	700 옴
jantxv1n4616d-1	18.4650	RFQ	4808	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4616		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v							2.2 v	1300 옴
CDLL4756B/TR	3.8400	RFQ	5858	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL4756B/TR	귀 99	8541.10.0050	246			1.2 v @ 200 ma		100 na @ 35.8 v							47 v	80 옴
1N5529	1.8150	RFQ	4076	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5529	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 7 v							9.1 v
1N5224B	2.4073	RFQ	6536	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5224b	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v							2.8 v	30 옴
1N4901A/TR	51.8400	RFQ	6949	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			400MW	DO-7	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1N4901A/TR	귀 99	8541.10.0050	1												12.8 v	200 옴
5818SMJ/TR13	0.6150	RFQ	5119	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	5818	Schottky		DO-214AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	30 v	550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N3212	65.8800	RFQ	7579	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3212	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N3212ms	귀 99	8541.10.0080	1	짐	400 v	1.19 v @ 90 a		10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	40a	-
1N6911UTK2	259.3500	RFQ	2498	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	Thinkey ™ 2		Schottky		Thinkey ™ 2	-			영향을받지 영향을받지	150-1N6911UTK2	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	30 v	540 mV @ 25 a		1.2 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	25A	1250pf @ 5V, 1MHz
CDLL4711	3.3000	RFQ	8070	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4711		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 20.4 v							27 v
1N969A	2.0700	RFQ	1178	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N969		500MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 16.7 v							22 v	29 옴
CDLL5229	2.8650	RFQ	8049	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5229		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v							4.3 v	22 옴
jantxv1n4956cus	19.1100	RFQ	8643	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4956cus	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 µa @ 6.2 v							8.2 v	1.5 옴
JANS1N4112CUR-1/TR	91.5802	RFQ	8944	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANS1N4112CUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 13.7 v							18 v	100 옴
1N4733AE3/tr13	-	RFQ	5356	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4733		1 W.	DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v							5.1 v	7 옴
Jan1n4963us/tr	8.8312	RFQ	5108	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N4963US/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		5 µa @ 12.2 v							16 v	3.5 옴
CDS978B-1	-	RFQ	1223	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS978B-1	귀 99	8541.10.0050	50
CDS3037B-1/TR	-	RFQ	5534	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS3037B-1/TR	귀 99	8541.10.0050	50
JANSF2N2907AUA	157.5000	RFQ	7788	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/291	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	4-SMD,, 없음			500MW	UA	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSF2N2907AUA			1									60 v	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
Jan1n3911a	-	RFQ	6598	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/308	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준		DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1.4 V @ 50 a	150 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	50a	-
1N1585	38.3850	RFQ	7480	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		DO-4 (DO-203AA)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n1585	귀 99	8541.10.0080	1	짐	400 v	1.3 V @ 30 a		10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	3A	-
SMBJ5949CE3/TR13	1.3350	RFQ	8655	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5949		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v							100 v	250 옴
1N4576aur-1/tr	8.7800	RFQ	7406	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-					귀 99	8541.10.0050	110					2 µa @ 3 v								50 옴
1N5268/tr	2.2950	RFQ	7730	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5268/tr	귀 99	8541.10.0050	410			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 59 v							82 v	330 옴
JAN1N5545D-1/TR	12.3823	RFQ	8579	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N5545D-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 27 v							30 v	100 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²