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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 현재 - 최대 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
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![]() | GC15009-450A/TR | - | ![]() | 3986 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | GC15009 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC15009-450A/TR | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.9pf @ 20V, 1MHz | 하나의 | 22 v | 13 | C0/C20 | 800 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||||
JAN1N5524D-1/TR | 15.8137 | ![]() | 7004 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N5524D-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 3.5 v | 5.6 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||
![]() | UX9401F | - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | 2-SMD | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-ux9401ftr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 4 w | 0.9pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 50V | 750mohm @ 50MA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
jantxv1n6491dus/tr | - | ![]() | 6163 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | 150-jantxv1n6491dus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 2 v | 5.6 v | 5 옴 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UMX6001B | - | ![]() | 3478 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | - | 축 | 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UMX6001B | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
CDLL5249B | 2.8650 | ![]() | 1192 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5249 | 10 MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | GC4432-M1/TR | - | ![]() | 5483 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 1208 (3020 () | M1 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4432-M1/TR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 MA | 0.5pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 300V | 1ohm @ 100ma, 100mhz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4754CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 9891 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ4754 | 2 w | DO-214AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 29.7 v | 39 v | 60 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4482dus/tr | 49.7250 | ![]() | 9787 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | 150-jantx1n4482dus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 50 NA @ 40.8 v | 51 v | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UMX4310B | - | ![]() | 3715 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | - | 축 | 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UMX4310B | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP61002-P00 | - | ![]() | 6635 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 주사위 | MP61002 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MP61002-P00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 MA | 0.04pf @ 10V, 1MHz | 핀 - 단일 | 200V | 3ohm @ 20ma, 1GHz | ||||||||||||||||||||||||
jantxv1n974d-1/tr | 10.0149 | ![]() | 8787 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n974d-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 na @ 27 v | 36 v | 70 옴 | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3051dur-1/tr | - | ![]() | 1211 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/115 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1.25 w | do-213ab (Melf, LL41) | - | 150-jantx1n3051dur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 152 v | 200 v | 1500 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GC4605-171 | - | ![]() | 3080 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | SQ-Mell | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4605-171 | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 3pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 2500V | 150mohm @ 500ma, 100mhz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5224D/TR | 8.5950 | ![]() | 5829 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5224D/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 v @ 200 ma | 75 µa @ 1 v | 2.8 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n5526dur-1/tr | 42.0014 | ![]() | 1936 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n5526dur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 6.2 v | 6.8 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | UM4310B | - | ![]() | 3740 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 축 | 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UM4310BTR | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 W. | 2.2pf @ 100V, 1MHz | 핀 - 단일 | 1000V | 1.5ohm @ 100ma, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5730D | 4.6800 | ![]() | 4755 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5730 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 2 v | 5.6 v | 25 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N6002UR-1/TR | 3.7400 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 v @ 200 ma | 12 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | LND150N3-G-P014 | 0.6800 | ![]() | 6783 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | LND150 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 500 v | 30MA (TJ) | 0V | 1000ohm @ 500µa, 0V | - | ± 20V | 10 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 740MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | 1N5540bur-1/tr | 6.6300 | ![]() | 2171 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 146 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 18 v | 20 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||
CDLL5955B | 7.8450 | ![]() | 2489 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5955 | 1.25 w | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 136.8 v | 180 v | 900 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N4985CUS/TR | 34.0950 | ![]() | 1365 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 150-JAN1N4985CUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 98.8 v | 130 v | 190 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANHCA1N4626 | 12.1695 | ![]() | 6643 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 (DO-204AA) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANHCA1N4626 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 µa @ 4 v | 5.6 v | 1400 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5268/tr | 3.3516 | ![]() | 3118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 10 MW | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5268/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 62 v | 82 v | 330 옴 | ||||||||||||||||||||||
jantx1n6313cus/tr | 44.6250 | ![]() | 5526 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantx1n6313cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 3 µa @ 1 v | 3.6 v | 25 옴 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UES1105SMHR2/TR | 68.8050 | ![]() | 7081 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-use1105smhr2/tr | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jankca1n4099 | - | ![]() | 4871 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 (DO-204AA) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca1n4099 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 µa @ 5.17 v | 6.8 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5347BE3/TR13 | 1.1550 | ![]() | 2149 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5347 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µa @ 7.2 v | 10 v | 2 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6332dus | 38.2200 | ![]() | 2982 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N6332DUS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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