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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
1N6014UR-1/TR	3.7400	RFQ	6971	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-					귀 99	8541.10.0050	264														1.1 v @ 200 ma								39 v
1N6012UR-1/TR	3.7400	RFQ	4052	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-					귀 99	8541.10.0050	264														1.1 v @ 200 ma								33 v
1N4716UR-1/TR	5.2400	RFQ	1312	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-					귀 99	8541.10.0050	186														1.5 v @ 100 ma		10 na @ 29.6 v						39 v
1 pmt4114/tr13	0.9600	RFQ	3414	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4114		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000														1.1 v @ 200 ma		10 na @ 15.2 v						20 v	150 옴
CDLL4734A	3.8250	RFQ	2315	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4734			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v						5.6 v	5 옴
1N3330RB	49.3800	RFQ	8184	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3330		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		10 µa @ 35.8 v						47 v	5 옴
MV32005-150A	-	RFQ	4894	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위				칩	-			영향을받지 영향을받지	150-MV32005-150AT	귀 99	8541.10.0040	1																			1.8pf @ 4V, 1MHz	하나의	22 v				3.4	C2/C20	3000 @ 4V, 50MHz
UM9415	-	RFQ	7732	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C		축				축	-			영향을받지 영향을받지	150-um9415tr	귀 99	8541.10.0060	1												10 W.							4pf @ 0V, 100MHz	핀 - 단일	50V			1ohm @ 50ma, 100MHz
UM7201B	-	RFQ	2407	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C		축				축	-			영향을받지 영향을받지	150-UM7201BTR	귀 99	8541.10.0060	1												5.5 w							2.2pf @ 100V, 1MHz	핀 - 단일	100V			250mohm @ 100MA, 100MHz
CD4569A	70.8000	RFQ	8237	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	표면 표면	주사위				주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD4569A	귀 99	8541.10.0050	1																2 µa @ 3 v						6.4 v	200 옴
jantx1n3022cur-1	37.3500	RFQ	4335	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3022		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 9.1 v						12 v	9 옴
MPL4702-406/tr	14.3400	RFQ	3249	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C		0402 (1005 메트릭)	MPL4702			0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-mpl4702-406/tr	귀 99	8541.10.0070	1,000												10 W.							3pf @ 10V, 1MHz	핀 - 단일	50V			2ohm @ 10ma, 1GHz
UM7010SM	-	RFQ	6725	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C		SQ-Mell				-	-			영향을받지 영향을받지	150-UM7010SMTR	귀 99	8541.10.0060	1												8 W.							0.9pf @ 100V, 1MHz	핀 - 단일	1000V			1ohm @ 100ma, 100mhz
1N4698CUR-1E3/TR	8.1529	RFQ	4330	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4698cur-1e3/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 100 ma		50 na @ 8.4 v						11 v
JAN1N4486DUS/TR	34.7550	RFQ	1934	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4486DUS/TR	귀 99	8541.10.0050	100														1.5 v @ 1 a		250 na @ 60 v						75 v	130 옴
1N4751AP/TR12	1.8900	RFQ	8728	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4751		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v						30 v	40
CDLL4462	11.3550	RFQ	9131	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4462		1.5 w	do-213ab	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1 v @ 200 ma		1 µa @ 4.5 v						7.5 v	2.5 옴
jantxv1n4966cus/tr	41.0400	RFQ	6871	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-				150-jantxv1n4966cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100														1.5 v @ 1 a		2 µA @ 16.7 v						22 v	5 옴
jantx1n6491dus/tr	-	RFQ	3450	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	다운로드				150-jantx1n6491dus/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a		500 na @ 2 v						5.6 v	5 옴
1N4743APE3/tr12	0.9450	RFQ	5162	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4743		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 9.9 v						13 v	10 옴
1N4483US/TR	11.5000	RFQ	4933	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-					귀 99	8541.10.0050	100														1.5 v @ 1 a		250 NA @ 44.8 v						56 v	70 옴
1N6079US/TR	36.7600	RFQ	5258	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, c		기준		D-5C	-							100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v	1.5 V @ 37.7 a	30 ns	10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 155 ° C	2A	-
Jan1n6325us/tr	16.0800	RFQ	9324	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/533	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-				150-JAN1N6325US/TR	귀 99	8541.10.0050	100														1.4 V @ 1 a		1 µa @ 8.5 v						11 v	7 옴
jantxv1n6630us/tr	26.5200	RFQ	9536	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, b		기준		e-melf	-				150-jantxv1n6630us/tr			100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												900 v	1.4 V @ 1.4 a	60 ns	2 µa @ 900 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.4a	40pf @ 10V, 1MHz
jantxv1n6355d	-	RFQ	4012	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	b, 축			500MW	b, 축	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 a		50 na @ 152 v						200 v	1800 옴
MSC015SMA070B	35.7600	RFQ	1898	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	MSC015	sicfet ((카바이드)		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	691-MSC015SMA070B	귀 99	8541.29.0095	30		n 채널	700 v	131A (TC)	20V	19mohm @ 40a, 20V	2.4V @ 1mA	215 NC @ 20 v	+25V, -10V	4500 pf @ 700 v	-	400W (TC)
JAN1N4963DUS	31.3500	RFQ	7742	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4963		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a		5 µa @ 12.2 v						16 v	3.5 옴
jantx1n988dur-1/tr	-	RFQ	1417	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			400MW	DO-213AA	-				150-jantx1n988dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.3 v @ 200 ma		500 NA @ 99 v						130 v	1100 옴
jantx1n5534c-1/tr	17.0240	RFQ	2865	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5534c-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		10 na @ 12.6 v						14 v	100 옴
CDLL5530D	6.0914	RFQ	2809	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5530D	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		50 na @ 9.1 v						10 v	60 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²