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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
gn2mt/r	0.1100	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-GN2MT/RTR	8541.10.0000	3,000	짐	1000 v	1 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	75pf @ 4V, 1MHz
1N5818BULK	0.2100	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5818Bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	30 v	550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
1N5923BT/r	0.0500	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N5923BT/RTR	8541.10.0000	5,000					5 µa @ 6.5 v						8.2 v	3.5 옴
1N5229bbulk	0.1800	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n529bbulk	8541.10.0000	500			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v						4.3 v	22 옴
FR207BULK	0.2800	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-FR207BULK	8541.10.0000	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1000 v	1.3 V @ 2 a	500 ns	10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
FR101T/R	0.0400	RFQ	35	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-FR101T/RTR	8541.10.0000	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
HER302T/R	0.1700	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-her302t/rtr	8541.10.0000	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1.1 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
1N4748A	0.0600	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4748AT	8541.10.0000	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 16.7 v						22 v	23 옴
byd13kbulk	0.2100	RFQ	2	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		눈사태		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-byd13kbulk	8541.10.0000	500	짐	800 v	1.05 V @ 1 a		1 µa @ 800 v	175 ° C	1.4a	-
RBV2504	1.7000	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RBV-25		기준		RBV-25	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-RBV2504	8541.10.0000	100			1.1 v @ 12.5 a		10 µa @ 400 v		25 a		단일 단일	400 v
RBV2502D	1.7400	RFQ	100	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RBV-25		기준		RBV-25	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-RBV2502D	8541.10.0000	100			1.1 v @ 25 a		10 µa @ 200 v		25 a		단일 단일	200 v
1N4741AT/r	0.0600	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4741AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 8.4 v						11 v	8 옴
1N4937T/R	0.0400	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4937	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4937T/RTR	8541.10.0000	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.2 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4749A	0.1800	RFQ	15	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n4749a	8541.10.0000	1,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 18.2 v						24 v	25 옴
1N5244BT/r	0.0400	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N5244BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 10 v						14 v	15 옴
1N751ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N751ABULK	8541.10.0000	500			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 1 v						5.1 v	17 옴
HER306BULK	0.2800	RFQ	2	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-Her306bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
FR106BULK	0.2100	RFQ	37	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-fr106bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	800 v	1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
1N4734AT/r	0.0650	RFQ	15	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n4734at/rtr	8541.10.0000	5,000			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 2 v						5.6 v	5 옴
1N5242BT/r	0.0400	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5242BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	30 옴
BYD13GBULK	0.2100	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		눈사태		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-BYD13GBULK	8541.10.0000	500	짐	400 v	1.05 V @ 1 a		1 µa @ 400 v	175 ° C	1.4a	-
1N4748AT/r	0.0600	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4748AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 16.7 v						22 v	23 옴
ESJA04-03A	0.6500	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	축		기준		M1A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-ESJA04-03A	8541.10.0000	300	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	3000 v	12 V @ 10 ma	80 ns	2 µa @ 3000 v	120 ° C (°)	1MA	-
1N5239BT/r	0.0400	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N5239BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v						9.1 v	10 옴
dr206t/r	0.0600	RFQ	9	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-DR206T/RTR	8541.10.0000	3,000	짐	600 v	1 V @ 2 a		5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	75pf @ 4V, 1MHz
1N5380bbulk	0.3800	RFQ	6	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향			5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5380bbulk	8541.10.0000	500			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 91.2 v						120 v	170 옴
HER103BULK	0.2100	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-Her103Bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1.1 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
1N5245BT/r	0.0400	RFQ	20	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5245BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 11 v						15 v	16 옴
FR155T/R	0.0400	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-FR155T/RTR	8541.10.0000	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.4 V @ 1.5 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5A	25pf @ 4V, 1MHz
10A05	0.2900	RFQ	2	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	D-6, 축,		기준		D6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-10A05TR		800	짐	600 v	1 V @ 10 a		10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	80pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (455)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²