SIC
close

불연속 불연속 제품 (455)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N5359B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5359B 0.1150
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5359Btr 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 18.2 v 24 v 3.5 옴
1N4751A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4751A 0.1800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4751A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
BR1002 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1002 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 BR1002 기준 BR-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR1002 8541.10.0000 200 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 200 v 10 a 단일 단일 200 v
1N5226BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5226bbulk 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5226BBULK 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
1N5949BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5949BT/r 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5949BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
RBV1502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1502 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV1502 8541.10.0000 100 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
RBV1504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1504 1.9000
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV1504 8541.10.0000 100 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 400 v 15 a 단일 단일 400 v
RBV5004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5004 3.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV5004 8541.10.0000 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 400 v 50 a 단일 단일 400 v
SK15 EIC SEMICONDUCTOR INC. SK15 0.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-sk15tr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 1A -
BR5006W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006W 3.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-50W 기준 BR-50W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR5006W 8541.10.0000 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 600 v 50 a 단일 단일 600 v
RBV5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5008 3.9300
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV5008 8541.10.0000 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
BYD33MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD33MBULK 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 눈사태 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BYD33MBULK 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 300 ns 1 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.3a -
1N5392T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5392T/R 0.0400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5392t/rtr 8541.10.0000 5,000 짐 100 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
MR760 EIC SEMICONDUCTOR INC. MR760 0.7500
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 D-6, 축, 기준 D6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-mr760 8541.10.0000 800 짐 1000 v 900 mV @ 6 a 25 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 22A -
FR102BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102BULK 0.2100
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr102bulk 8541.10.0000 600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
KBL404 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL404 1.1300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-KBL404 8541.10.0000 100 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
MR850T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. mr850t/r 0.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-mr850t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.25 V @ 3 a 150 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
AR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. AR2502 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. 자동차 가방 활동적인 표면 표면 마이크로드 마이크로드 기준 마이크로드 마이크로드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-AR2502 8541.10.0000 500 짐 200 v 1 V @ 25 a 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
1N749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N749AT/r 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n749AT/rtr 8541.10.0000 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
RBV3508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3508 2.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV3508 8541.10.0000 500 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 800 v 35 a 단일 단일 800 v
KBP202 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP202 0.8500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-KBP202 8541.10.0000 100 1 V @ 1 a 10 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
RBV3502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3502 1.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV3502 8541.10.0000 100 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 200 v 35 a 단일 단일 200 v
RBV3510 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3510 2.8100
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV3510 8541.10.0000 100 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
RBV610 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV610 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV610 8541.10.0000 100 1 V @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
RBV1002 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1002 1.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV1002 8541.10.0000 100 1 V @ 5 a 10 µa @ 200 v 10 a 단일 단일 200 v
FR305T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR305T/R 0.1400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr305t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 250 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
SF55-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF55-- 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-SF55- 볼크 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
FR306T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR306T/R 0.1500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr306t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N5243BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5243BT/r 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5243BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
HER305T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER305T/R 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her305t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다