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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4740ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4740ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
1N5930BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5930BT/r 0.1300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5930BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
FR106T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106T/R 0.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr106t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606 1.1000
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV606 8541.10.0000 100 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
BYD13JBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. byd13jbulk 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 눈사태 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-byd13jbulk 8541.10.0000 500 짐 600 v 1.05 V @ 1 a 1 µa @ 600 v 175 ° C 1.4a -
FR301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301BULK 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr301bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4741ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4741ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
1N5817BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5817Bulk 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5817Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
1N5363BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5363bbulk 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5363bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 22.8 v 30 v 8 옴
1N4746A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746A 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 상자 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4746A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
1N5393 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5393 0.1800
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5393 8541.10.0000 500 짐 200 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4744AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4744AT/r 0.0650
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4744at/rtr 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
1N4006T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4006T/R 0.0300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1n4006t/rtr 5,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
FR205T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR205T/R 0.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR205T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 2 a 250 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5354BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5354bbulk 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5354Bulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 12.9 v 17 v 2.5 옴
RGP02-20E-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-20E- 볼크 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RGP02-20E- 볼크 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2000 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4V, 1MHz
1N4760AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4760AT/r 0.0500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4760AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
HER302T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER302T/R 0.1700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her302t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4741AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741AT/r 0.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4741AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
1N4733ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N47333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 왜 왜 왜 왜 왜 수 허 허 운전 집어 집어 보이었다서서서서들은 무익화 보인다들은 보인다들은 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N473333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333IOUDAY 3333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 왜 왜 왜 왜 초 초 추가 E439- 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
FR307T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR307T/R 0.1600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr307t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4148T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4148T/R 0.0130
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4148 기준 DO-35 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4148T/RTR 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 175 ° C 150ma -
HER506T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER506T/R 0.2800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her506t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1N756ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N756ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N756ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 8.2 v 8 옴
BR802 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR802 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR802 8541.10.0000 200 1 V @ 4 a 10 µa @ 200 v 8 a 단일 단일 200 v
1N5239BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239BT/r 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5239BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
BYD13GBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13GBULK 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 눈사태 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BYD13GBULK 8541.10.0000 500 짐 400 v 1.05 V @ 1 a 1 µa @ 400 v 175 ° C 1.4a -
1N5229BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229bbulk 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n529bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
FR207BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR207BULK 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR207BULK 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 2 a 500 ns 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
FR101T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR101T/R 0.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR101T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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