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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전류 - 출력 피크 전압 - 파괴 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 현재 - 오버 브레이크
HER503BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER503BULK 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her503Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 5 a 50 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1N5228BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5228BT/r 0.0400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5228BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
1N4004BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4004Bulk 0.0900
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4004Bulk 1,000 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5251BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5251BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5251bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
1N5239BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239bbulk 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5239bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
1N5380BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5380bbulk 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5380bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 91.2 v 120 v 170 옴
1N4755AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4755AT/r 0.0600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4755AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
1N4937T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4937T/R 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4937T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749AT/r 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4749AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
1N5350BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5350BBULK 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5350bbulk 귀 99 8541.10.0050 500 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 9.9 v 13 v 2.5 옴
1N4737ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4737Bulk 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4737377Bulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
D32PBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32pbulk 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) do-204al, do-41, 축 방향 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-d32pbulk 8541.10.0000 500 2 a 27 ~ 37V 100 µa
1N4741AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741AT/r 0.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4741AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
BA159BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BA159BULK 0.2100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BA159BULK 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
FR205T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR205T/R 0.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR205T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 2 a 250 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
HER105BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER105BULK 0.2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her105Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4732T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732T/R 0.0900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4732t/rtr 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
1N756ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N756ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N756ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 8.2 v 8 옴
1N754ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N754ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N754ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 6.8 v 5 옴
1N5363BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5363bbulk 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5363bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 22.8 v 30 v 8 옴
1N4733AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733AG 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4733AG 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
1N4749A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749A 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4749a 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
FR307BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR307BULK 0.2400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr307bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N5250BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5250bbulk 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5250bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
SN13 EIC SEMICONDUCTOR INC. SN13 0.0420
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-SN13TR 8541.10.0000 10,000 짐 1300 v 1 V @ 1 a 2 µs 2 µa @ 1300 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 30pf @ 4V, 1MHz
1N4740ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4740ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
1N4742AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742AT/r 0.0510
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4742AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
1N5817BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5817Bulk 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5817Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
1N4734ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4734ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4734ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 2 v 5.6 v 5 옴
1N5930BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5930BT/r 0.1300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5930BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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