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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
Z1110-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Z1110-T/R 0.1800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-Z1110-T/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 83.6 v 110 v 450 옴
FR106T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106T/R 0.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr106t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606 1.1000
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV606 8541.10.0000 100 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
BYD13JBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. byd13jbulk 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 눈사태 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-byd13jbulk 8541.10.0000 500 짐 600 v 1.05 V @ 1 a 1 µa @ 600 v 175 ° C 1.4a -
FR301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301BULK 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr301bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4741ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4741ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
1N4732T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732T/R 0.0900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4732t/rtr 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
1N4740ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4740ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
1N5930BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5930BT/r 0.1300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5930BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
HER301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER301BULK 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her301Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4743T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743T/R 0.0500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4743T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
1N753ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N753ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N753ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 6.2 v 7 옴
BR5002 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5002 2.8900
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR5002 8541.10.0000 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 200 v 50 a 단일 단일 200 v
BR601 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR601 0.6800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR601 8541.10.0000 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 100 v 6 a 단일 단일 100 v
1N4743ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4743ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
SS3D/B EIC SEMICONDUCTOR INC. ss3d/b 0.4400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-SS3D/BTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4004BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4004Bulk 0.0900
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4004Bulk 1,000 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
KBL401 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL401 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-KBL401 8541.10.0000 100 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
HER306T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER306T/R 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her306t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5931AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5931AT/r 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5931AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
FR307BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR307BULK 0.2400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr307bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
HER503BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER503BULK 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her503Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 5 a 50 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1N4743A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743A 0.1800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 상자 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4743A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
FR301T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301T/R 0.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR301T/RTR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N5401T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5401T/R 0.0800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5401T/RTR 8541.10.0000 1,250 짐 100 v 950 MV @ 3 a 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
BY255 EIC SEMICONDUCTOR INC. by255 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-by255 8541.10.0000 1,250 짐 1300 v 1.1 v @ 3 a 20 µa @ 1300 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5354BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5354bbulk 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5354Bulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 12.9 v 17 v 2.5 옴
1N4760AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4760AT/r 0.0500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4760AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
1N4742A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742A 0.0510
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4742at 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
1N5350BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5350BBULK 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5350bbulk 귀 99 8541.10.0050 500 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 9.9 v 13 v 2.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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