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불연속 불연속 제품 (455)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N5233BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5233BT/r 0.0400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5233BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
BA158BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BA158BULK 0.2100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BA158BULK 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1N4733AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733AG 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4733AG 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
1N5391BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391Bulk 0.1800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5391Bulk 8541.10.0000 500 짐 50 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
BR810 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR810 1.2200
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-BR810 8541.10.0000 200 1 V @ 4 a 10 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
HER105BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER105BULK 0.2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her105Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4736ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4736ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
1N5250BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5250bbulk 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5250bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
HER303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER303T/R 0.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her303t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5242BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5242Bulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
1N5817BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5817Bulk 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5817Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
SN13 EIC SEMICONDUCTOR INC. SN13 0.0420
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-SN13TR 8541.10.0000 10,000 짐 1300 v 1 V @ 1 a 2 µs 2 µa @ 1300 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 30pf @ 4V, 1MHz
RBV1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1004 1.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV1004 8541.10.0000 100 1 V @ 5 a 10 µa @ 400 v 10 a 단일 단일 400 v
SN1K EIC SEMICONDUCTOR INC. SN1K 0.0382
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-sn1ktr 8541.10.0000 5,000 짐 800 v 1 V @ 1 a 2 µs 2 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 30pf @ 4V, 1MHz
1N5931ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5931ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5931ABULK 8541.10.0000 500 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
1N752ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N752ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n752Abulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 5.6 v 11 옴
HER108T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER108T/R 0.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her108t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5239BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239bbulk 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5239bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
KBL408 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL408 1.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-KBL408 8541.10.0000 100 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
FBR3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. FBR3506 3.5300
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FBR3506 8541.10.0000 50 1.3 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
BR3508 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3508 2.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR3508 8541.10.0000 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 800 v 35 a 단일 단일 800 v
RBV804 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV804 1.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV804 8541.10.0000 100 1 V @ 4 a 10 µa @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
BR5006 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006 4.0000
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR5006 8541.10.0000 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 600 v 50 a 단일 단일 600 v
BR801 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR801 1.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR801 8541.10.0000 200 1 V @ 4 a 10 µa @ 100 v 8 a 단일 단일 100 v
RBV2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502 1.5900
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV2502 8541.10.0000 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
BR3504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3504 2.6900
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR3504 8541.10.0000 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
1N755ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N755ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N755ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 7.5 v 6 옴
BR5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5008 2.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR5008 8541.10.0000 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
RBV1001 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1001 1.2400
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV1001 8541.10.0000 100 1 V @ 5 a 10 µa @ 100 v 10 a 단일 단일 100 v
SF16-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF16-Bulk 0.2200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-SF16-Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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