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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BR1510 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1510 2.6600
RFQ
ECAD 450 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR1510 8541.10.0000 50 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
1N5949BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5949BT/r 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5949BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
1N4755ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4755ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4755ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
RBV5002 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5002 1.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV5002 8541.10.0000 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 200 v 50 a 단일 단일 200 v
RBV3510 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3510 2.8100
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV3510 8541.10.0000 100 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
1N753AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N753AT/r 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N753AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 6.2 v 7 옴
1N4761AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4761AT/r 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4761at/rtr 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
BR5000 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5000 2.8100
RFQ
ECAD 250 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR5000 8541.10.0000 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 50 v 50 a 단일 단일 50 v
RBV610 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV610 1.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV610 8541.10.0000 100 1 V @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
RBV1002 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1002 1.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV1002 8541.10.0000 100 1 V @ 5 a 10 µa @ 200 v 10 a 단일 단일 200 v
FR105BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR105BULK 0.2100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr105bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
BR2500 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2500 2.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR2500 8541.10.0000 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
1N5340B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5340B 0.2160
RFQ
ECAD 24 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5340btr 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 3 v 6 v 1 옴
KBP201 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP201 0.8000
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-KBP201 8541.10.0000 100 1 V @ 1 a 10 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
1N5250BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5250BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5250BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
FR305T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR305T/R 0.1400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr305t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 250 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
15HCB EIC SEMICONDUCTOR INC. 15HCB 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-15HCBTR 8541.10.0000 5,000
3EZ150D5 EIC SEMICONDUCTOR INC. 3EZ150D5 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-3EZ150D5 8541.10.0000 500 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 550 옴
MBRA210L EIC SEMICONDUCTOR INC. MBRA210L 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-MBRA210L 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 10 v 350 mV @ 2 a 700 µa @ 10 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
MR854BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. MR854BULK 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-mr854bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 3 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
1N5405BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5405BULK 0.1800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5405Bulk 8541.10.0000 500 500 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
HER102T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER102T/R 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her102t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
FR102BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102BULK 0.2100
RFQ
ECAD 38 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr102bulk 8541.10.0000 600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
HER102BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER102BULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her102Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4934BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4934BULK 0.1800
RFQ
ECAD 90 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4934Bulk 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SN1P EIC SEMICONDUCTOR INC. sn1p 0.1300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-sn1ptr 8541.10.0000 10,000 1600 v 2.2 v @ 1 a 5 µa @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A 36pf @ 4V, 1MHz
1N5396BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5396Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5396Bulk 8541.10.0000 500 500 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4004T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4004T/R 0.0230
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4004T/RTR 5,000 400 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4763A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4763A 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4763atr 8541.10.0000 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
1N4933T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4933T/r 0.0400
RFQ
ECAD 70 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4933T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고