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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N5407Bulk	0.1800	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5407Bulk	8541.10.0000	500	짐	800 v	950 MV @ 3 a		5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
RBV5006	3.0000	RFQ	400	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RBV-25	기준		RBV-25	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-RBV5006	8541.10.0000	100			1.1 v @ 25 a		10 µa @ 600 v		50 a		단일 단일	600 v
HER108BULK	0.2400	RFQ	2	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-Her108Bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1000 v	1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
1N5362BT/r	0.1100	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N5362BT/RTR	8541.10.0000	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.2 v						28 v	6 옴
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HER102BULK	0.2100	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-Her102Bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1.1 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
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1N5377777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777 777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777 개의 까지서 1N537777. 서서	0.3300	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N53777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777 777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777733333333337 꼴 까지서 까지서 들은서들은 발생합니다 들은다들은 들은다들은 것들은들들은 것이다들은	8541.10.0000	500			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 65.5 v						91 v	75 옴
1N5355bbulk	0.4000	RFQ	2	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5355Bulk	8541.10.0000	500			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 13.7 v						18 v	2.5 옴
RBV806	1.2500	RFQ	100	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RBV-25	기준		RBV-25	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-RBV806	8541.10.0000	100			1 V @ 4 a		10 µa @ 600 v		8 a		단일 단일	600 v
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1N5400Bulk	0.1800	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5400bulk	8541.10.0000	500	짐	50 v	950 MV @ 3 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
HER302BULK	0.2400	RFQ	7	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-Her302Bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1.1 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
RBV1510	1.6100	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RBV-25	기준		RBV-25	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-RBV1510	8541.10.0000	100			1.1 v @ 7.5 a		10 µa @ 1000 v		15 a		단일 단일	1kv
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1N5233BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5233bbulk	8541.10.0000	500			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3.5 v						6 v	7 옴
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AR3504	0.3100	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	자동차	가방	활동적인			표면 표면	마이크로드 마이크로드	기준		마이크로드 마이크로드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-AR3504	8541.10.0000	500	짐	400 v	1.1 v @ 35 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	35a	-
1N4732ABULK	0.1200	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		1 W.	DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-1N4732Abulk		1,000			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v						4.7 v	8 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (455)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²