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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N5395T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395T/R 0.0400
RFQ
ECAD 35 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5395t/rtr 8541.10.0000 5,000 400 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
HER101BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER101BULK 0.2100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her101Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5402BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5402Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5402Bulk 8541.10.0000 500 200 v 950 MV @ 3 a 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
MR2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. MR2504 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. 자동차 가방 활동적인 표면 표면 마이크로드 마이크로드 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-mr2504 8541.10.0000 500 400 v 1 V @ 25 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
1N5247BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5247bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5247bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
1N757AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N757AT/r 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n757AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 9.1 v 10 옴
1N4752AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4752AT/r 0.0600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4752AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
FR105BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR105BULK 0.2100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr105bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4730AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4730AT/r 0.1500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4730AT/RTR 5,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
1N5230BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5230BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5230BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
1N4759AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4759AT/r 0.0500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4759AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
1N4731ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4731ABULK 0.1300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4731ABULK 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
1N4756A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756A 0.1800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4756A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
SR1J EIC SEMICONDUCTOR INC. SR1J 0.0593
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-sr1jtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4728ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728ABULK 0.1500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4728ABULK 1,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
1N5241BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5241BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5241BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
BR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2502 2.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR2502 8541.10.0000 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
HER103T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER103T/R 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her103t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5253BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5253bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5253bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
1N5338A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5338A 0.4100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5338a 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
1N5402T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5402T/R 0.0800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5402T/rtr 8541.10.0000 1,250 200 v 950 MV @ 3 a 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
RM11C-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. RM11c-Bulk 0.2000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 d-2, 방향 축 기준 D2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-rm11c-bulk 8541.10.0000 500 1000 v 920 MV @ 1.5 a 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.2A 30pf @ 4V, 1MHz
1N5361ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361ABULK 0.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5361ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 19.4 v 27 v 5 옴
1N4006BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4006Bulk 0.1300
RFQ
ECAD 48 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1n4006bulk 1,000 800 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4763A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4763A 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4763atr 8541.10.0000 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
KBP210 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP210 0.8500
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-KBP210 8541.10.0000 100 1 V @ 1 a 10 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
1N4934BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4934BULK 0.1800
RFQ
ECAD 90 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4934Bulk 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BR1510 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1510 2.6600
RFQ
ECAD 450 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR1510 8541.10.0000 50 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
1N4738 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4738tr 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
FBR804 EIC SEMICONDUCTOR INC. FBR804 1.3800
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FBR804 8541.10.0000 200 1.3 V @ 4 a 10 µa @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고