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불연속 불연속 제품 (455)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	HTSUS	표준 표준	속도	전류 - 출력 피크	전압 - 파괴	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	현재 - 오버 브레이크
1N5401Bulk	0.1800	RFQ	14	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5401Bulk	8541.10.0000	500	짐			100 v	950 MV @ 3 a		5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
1N5253BT/r	0.0400	RFQ	60	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5253BT/RTR	8541.10.0000	10,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 19 v						25 v	35 옴
1N4935BULK	0.1800	RFQ	51	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1N4935BULK	8541.10.0000	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			200 v	1.2 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
RBV800	1.0900	RFQ	700	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RBV-25		기준		RBV-25	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-RBV800	8541.10.0000	100					1 V @ 4 a		10 µa @ 50 v		8 a		단일 단일	50 v
by299bulk	0.2300	RFQ	500	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-by299bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			800 v	1.3 V @ 2 a	250 ns	10 µa @ 800 v	-50 ° C ~ 125 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
1N5236BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5236bbulk	8541.10.0000	500					1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6 v						7.5 v	6 옴
SB3B0-T/R	0.3300	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		Schottky		Do-201ad	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-SB3B0-T/RTR	8541.10.0000	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			100 v	790 MV @ 3 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N5260BBULK	0.1800	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5260bbulk	8541.10.0000	500					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 33 v						43 v	93 옴
FR304BULK	0.2100	RFQ	2	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-fr304bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			400 v	1.3 v @ 3 a	150 ns	10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N5241BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5241bbulk	8541.10.0000	500					1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 8.4 v						11 v	22 옴
1N5245bbulk	0.1800	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5245bbulk	8541.10.0000	500					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 11 v						15 v	16 옴
1N755AT/r	0.0300	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1N755AT/RTR	8541.10.0000	10,000					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 1 v						7.5 v	6 옴
스노아	0.1000	RFQ	15	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		SMA (DO-214AC)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-SNOATR	8541.10.0000	10,000	짐			50 v	1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5A	30pf @ 4V, 1MHz
FR104T/R	0.0400	RFQ	30	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-FR104T/RTR	8541.10.0000	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			400 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
1N5255bbulk	0.1800	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5255bbulk	8541.10.0000	500					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 21 v						28 v	44 옴
1N5932BT/r	0.0500	RFQ	20	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1N5932BT/RTR	8541.10.0000	5,000							1 µa @ 15.2 v						20 v	14 옴
1N5819st/r	0.0400	RFQ	25	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5819	Schottky		DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5819st/rtr	8541.10.0000	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			40 v	600 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
1N5392Bulk	0.1800	RFQ	20	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5392Bulk	8541.10.0000	500	짐			100 v	1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
SF13-Bulk	0.2100	RFQ	15	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-SF13-Bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			150 v	950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
FR101BULK	0.2100	RFQ	39	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-fr101bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			50 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
1N5394T/R	0.0400	RFQ	40	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1N5394T/RTR	8541.10.0000	5,000	짐			300 v	1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
d32bulk	0.2500	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)		축				M1A	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-d32bulk	8541.10.0000	500		2 a	27 ~ 37V												100 µa
1N4735A	0.1300	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	상자	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	-	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1N4735A	8541.10.0000	1,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v						6.2 v	2 옴
MURA110	0.8500	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		SMA (DO-214AC)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-Mura110	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			100 v	875 mv @ 1 a	30 ns	2 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
fepf16dt	1.6600	RFQ	530	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		기준		ITO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-fepf16dt	8541.10.0000	50	짐			200 v	950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	85pf @ 4V, 1MHz
HER104BULK	0.2400	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-Her104Bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			300 v	1.1 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
BR608	0.8900	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-6		기준		BR-6	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-BR608	8541.10.0000	200					1 V @ 3 a		10 µa @ 800 v		6 a		단일 단일	800 v
Z1150-T/R	0.0980	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-Z1150-T/RTR	8541.10.0000	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 114 v						150 v	1000 옴
1N5230bbulk	0.1800	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-1n5230bbulk	8541.10.0000	500					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v						4.7 v	19 옴
FR302T/R	0.1100	RFQ	2	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		2439-FR302T/RTR	8541.10.0000	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			100 v	1.3 v @ 3 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (455)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²