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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전류 - 출력 피크 전압 - 파괴 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 현재 - 오버 브레이크
FR303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR303T/R 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-FR303T/RTR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
RGP02-16E-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-16E-T/R 0.1600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RGP02-16E-T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1600 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1600 v -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4V, 1MHz
1N5237BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5237bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1n5237bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
FR106T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106T/R 0.0400
RFQ
ECAD 35 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-fr106t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
KBL401 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL401 1.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-KBL401 8541.10.0000 100 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
D32PBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32pbulk 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) do-204al, do-41, 축 방향 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-d32pbulk 8541.10.0000 500 2 a 27 ~ 37V 100 µa
HER506T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER506T/R 0.2800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-her506t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1N4760AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4760AT/r 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1N4760AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
1N5239BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1n5239bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
1N4738A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738A 0.0500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 상자 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1N4738A 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
BY133T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. BY133T/R 0.0400
RFQ
ECAD 140 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-by133t/rtr 8541.10.0000 5,000 1300 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1300 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BR1506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1506 2.4100
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-BR1506 8541.10.0000 50 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
KBL406M EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL406M 1.1800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-KBL406M 8541.10.0000 100 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
BR806 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR806 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-BR806 8541.10.0000 200 1 V @ 4 a 10 µa @ 600 v 8 a 단일 단일 600 v
BYV96E T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. BYV96E T/R 0.0800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 눈사태 DO-15 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-byv96et/rtr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.6 V @ 1.5 a 300 ns 5 µa @ 1000 v 175 ° C 1.5A -
BR5001 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5001 2.9300
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-BR5001 8541.10.0000 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 100 v
BR3501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3501 2.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-BR3501 8541.10.0000 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
BR3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3506 3.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-BR3506 8541.10.0000 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
FR102T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102T/R 0.0300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-FR102T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
FR304T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304T/R 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-FR304T/RTR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BR1502M EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1502M 2.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-BR1502M 8541.10.0000 50 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
1N5234BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5234bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1n5234bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
1N4736BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736Bulk 0.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1N4736Bulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
1N4746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1N4746ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
1N4751AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4751AT/r 0.0600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1N4751AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
1N5395BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395BULK 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2439-1n5395Bulk 8541.10.0000 500 400 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
RBV810 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV810 1.3000
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV810 8541.10.0000 100 1 V @ 4 a 10 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
RBV2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2506 2.0600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV2506 8541.10.0000 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
RBV1008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1008 1.4600
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV1008 8541.10.0000 100 1 V @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
1N4728AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728AT/r 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - ROHS3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4728AT/RTR 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고