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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
RM27P30LD Rectron USA rm27p30ld 0.1500
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm27p30ldtr 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 27A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 930 pf @ 15 v - 31.3W (TC)
R2000-T Rectron USA R2000-T 0.0480
RFQ
 ECAD 8935 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R2000-TTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1.3 v @ 1 a 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
R3000F-B Rectron USA R3000F-B 0.0930
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Rectron USA - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R3000F-B 귀 99 8541.10.0080 1,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 5 v @ 200 ma 500 ns 5 µa @ 3000 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 30pf @ 4V, 1MHz
DB157S-T Rectron USA DB157S-T 0.1500
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DB-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB157S-TTR 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1.5 a 1 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
RL1N1200F Rectron USA RL1N1200F 0.0380
RFQ
 ECAD 9354 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 A-405 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RL1N1200FTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.8 v @ 500 ma 300 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BR34 Rectron USA BR34 0.5000
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 Rectron USA - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-BR34 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 400 v 3 a 단일 단일 400 v
1N4004-T Rectron USA 1N4004-T 0.0220
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-1N4004-T.tr 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 1 V @ 1 a 200 na @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
R5000F Rectron USA R5000F 0.1600
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R5000FTR 귀 99 8541.10.0080 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 5000 v 6.5 V @ 200 ma 500 ns 5 µa @ 5000 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 30pf @ 4V, 1MHz
KBL604 Rectron USA KBL604 0.6800
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL604 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
KBL606 Rectron USA KBL606 0.6800
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL606 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
2N7002KA Rectron USA 2N7002KA 0.0420
RFQ
 ECAD 3372 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-2N7002katr 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 500ma, 10V 2V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
KBL602 Rectron USA KBL602 0.6800
RFQ
 ECAD 6209 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL602 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v 6 a 단일 단일 100 v
RM70P30LD Rectron USA RM70P30LD 0.2800
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM70P30LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3450 pf @ 25 v - 90W (TC)
RM210N75HD Rectron USA RM210N75HD 0.9200
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM210N75HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 75 v 210A (TC) 10V 4mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 11000 pf @ 25 v - 330W (TC)
RM4N650TI Rectron USA RM4N650TI 0.4200
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N650TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 28.5W (TC)
FFM1500W Rectron USA FFM1500W 0.0420
RFQ
 ECAD 5569 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-FFM1500wtr 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 1.8 v @ 500 ma 300 ns 5 µa @ 1500 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 15pf @ 4V, 1MHz
MB4F Rectron USA MB4F 0.3000
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-mb4ftr 귀 99 8541.10.0080 40,000 1.1 v @ 800 ma 1 µa @ 400 v 800 MA 단일 단일 400 v
MD8F Rectron USA MD8F 0.3300
RFQ
 ECAD 3927 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MD-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-md8ftr 귀 99 8541.10.0080 24,000 1 V @ 500 MA 1 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
HDB208LS Rectron USA HDB208LS 0.3500
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-HDB208LSTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 1.7 V @ 2 a 2 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
1N4007-F Rectron USA 1N4007-F 0.0220
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-1n4007-ftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1 V @ 1 a 200 na @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
KBL410 Rectron USA KBL410 0.5500
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL410 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
RM80N100T2 Rectron USA RM80N100T2 0.5100
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 5480 pf @ 50 v - 125W (TC)
FM1200W Rectron USA FM1200W 0.0420
RFQ
 ECAD 2283 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-FM1200wtr 귀 99 8541.10.0080 60,000 짐 1200 v 2 v @ 500 ma 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 35pf @ 4V, 1MHz
R2000G Rectron USA R2000G 0.0600
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R2000GTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 짐 2000 v 2 v @ 200 ma 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 30pf @ 4V, 1MHz
2N7002K Rectron USA 2N7002K 0.0330
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-2N7002KTR 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 1.9V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
DB155 Rectron USA DB155 0.3800
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) 기준 DB-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB155 귀 99 8541.10.0080 15,000 1 V @ 1.5 a 1 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
RM70P40LD Rectron USA RM70P40LD 0.3800
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM70P40LD 8541.10.0080 4,000 p 채널 40 v 70A (TC) 10V 10MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 5380 pf @ 20 v - 130W (TC)
RL1N1000F Rectron USA RL1N1000F 0.0380
RFQ
 ECAD 7323 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 A-405 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RL1N1000FTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.8 v @ 500 ma 300 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
R1800F Rectron USA R1800F 0.0520
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R1800FTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1800 v 2.5 V @ 500 MA 500 ns 5 µa @ 1800 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
RM17N800HD Rectron USA RM17N800HD 1.5300
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM17N800HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 800 v 17A (TA) 10V 320mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2060 pf @ 50 v - 260W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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