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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
EMD3S Rectron USA EMD3 0.3300
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MD-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-emd3str 귀 99 8541.10.0080 24,000 1.05 V @ 500 mA 10 µa @ 150 v 1 a 단일 단일 150 v
RS1503M Rectron USA Rs1503m 1.0000
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-15M 기준 RS-15M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS1503M 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.05 V @ 7.5 a 500 na @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
DB106S Rectron USA DB106S 0.3200
RFQ
 ECAD 1633 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DB-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB106ST 귀 99 8541.10.0080 8,000 1 V @ 1 a 1 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
BR32 Rectron USA BR32 0.5500
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Rectron USA - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-BR32 귀 99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 200 v 3 a 단일 단일 200 v
RS403M Rectron USA Rs403m 0.7800
RFQ
 ECAD 4286 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-4M 기준 RS-4M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS403M 귀 99 8541.10.0080 1,800 1.05 V @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
RBU1506M Rectron USA RBU1506M 0.7900
RFQ
 ECAD 2300 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBU 기준 RBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RBU1506M 귀 99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 7.5 a 500 NA @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
RC207 Rectron USA RC207 0.4400
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 Rectron USA - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 원, RC-2 기준 RC-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RC207 귀 99 8541.10.0080 6,000 1.05 V @ 2 a 200 na @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
RS603M Rectron USA Rs603m 0.9800
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-6M 기준 Rs-6m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS603M 귀 99 8541.10.0080 2,400 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
RM6N100S4V Rectron USA RM6N100S4V 0.1600
RFQ
 ECAD 9753 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6N100S4VTR 8541.10.0080 30,000 n 채널 100 v 6A (TA) 10V 140mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 690 pf @ 25 v - 3W (TA)
RM50N150DF Rectron USA RM50N150DF 0.6400
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N150DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 150 v 50A (TC) 10V 19mohm @ 30a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 5200 pf @ 50 v - 100W (TC)
RS202M Rectron USA RS202M 0.5500
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-2M 기준 RS-2M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS202M 귀 99 8541.10.0080 2,700 1.05 V @ 2 a 200 na @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
KBL401 Rectron USA KBL401 0.5500
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL401 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
DB152LS Rectron USA DB152LS 0.3900
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB152LSTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 1 V @ 1.5 a 1 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
RS203M Rectron USA RS203M 0.5500
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-2M 기준 RS-2M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS203M 귀 99 8541.10.0080 2,700 1.05 V @ 2 a 200 na @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
DB101 Rectron USA DB101 0.3200
RFQ
 ECAD 8552 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) 기준 DB-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB101 귀 99 8541.10.0080 2,500 1 V @ 1 a 1 µa @ 50 v 1 a 단일 단일 50 v
RS3505M Rectron USA Rs3505m 2.4800
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-35M 기준 Rs-35m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS3505m 귀 99 8541.10.0080 300 1 V @ 17.5 a 500 NA @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
RS605M Rectron USA Rs605m 0.9800
RFQ
 ECAD 6363 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-6M 기준 Rs-6m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS605m 귀 99 8541.10.0080 2,400 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
DB104 Rectron USA DB104 0.3400
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) 기준 DB-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB104 귀 99 8541.10.0080 2,500 1 V @ 1 a 1 µa @ 400 v 1 a 단일 단일 400 v
RS403L Rectron USA RS403L 0.7800
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-4L 기준 RS-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS403L 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.05 V @ 4 a 2 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
DB155 Rectron USA DB155 0.3800
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) 기준 DB-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB155 귀 99 8541.10.0080 15,000 1 V @ 1.5 a 1 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
R4000G Rectron USA R4000G 0.0880
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R4000GTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 짐 4000 v 4 v @ 200 ma 5 µa @ 4000 v -65 ° C ~ 175 ° C 200ma 30pf @ 4V, 1MHz
MB4S-W Rectron USA MB4S-W 0.0370
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MD-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-MB4S-WTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.05 V @ 500 mA 5 µa @ 400 v 500 MA 단일 단일 400 v
RS3503M Rectron USA Rs3503m 2.4800
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-35M 기준 Rs-35m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS3503M 귀 99 8541.10.0080 1,200 1 V @ 17.5 a 500 na @ 200 v 35 a 단일 단일 200 v
MSB207S Rectron USA MSB207S 0.3600
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 기준 MSB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-MSB207str 귀 99 8541.10.0080 24,000 1.1 v @ 2 a 1 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
RS106M Rectron USA Rs106m 0.4700
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-1M 기준 RS-1M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS106M 귀 99 8541.10.0080 3,400 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
KBL608 Rectron USA KBL608 0.6800
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL608 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
MSB306S Rectron USA MSB306S 0.3600
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 MSB30 기준 MSB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-MSB306STR 귀 99 8541.10.0080 24,000 1.1 v @ 3 a 1 µa @ 800 v 3 a 단일 단일 800 v
KDB3200S Rectron USA KDB3200S 0.4900
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 Schottky DB-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KDB3200STR 귀 99 8541.10.0080 8,000 850 mV @ 3 a 20 µa @ 200 v 3 a 단일 단일 200 v
RS1502M Rectron USA Rs1502m 1.0000
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-15M 기준 RS-15M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS1502M 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.05 V @ 7.5 a 500 NA @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
RBU606M Rectron USA RBU606M 0.7900
RFQ
 ECAD 4002 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBU 기준 RBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RBU606M 귀 99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 6 a 1 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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