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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
RM7N600IP Rectron USA RM7N600IP 0.5500
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM7N600IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 580mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 587 pf @ 50 v - 63W (TC)
RM5N700IP Rectron USA RM5N700IP 0.4700
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N700IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 460 pf @ 50 v - 49W (TC)
RM8N700LD Rectron USA RM8N700LD 0.4700
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N700LD 8541.10.0080 4,000 n 채널 700 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 590 pf @ 50 v - 69W (TC)
RM17N800T2 Rectron USA RM17N800T2 1.5300
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM17N800T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 17A (TA) 10V 320mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2060 pf @ 50 v - 260W (TC)
RM1216 Rectron USA RM1216 0.1200
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM1216TR 8541.10.0080 25,000 p 채널 12 v 16A (TC) 2.5V, 4.5V 18mohm @ 6.7a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 2700 pf @ 10 v - 18W (TC)
RM5N150S8 Rectron USA RM5N150S8 0.4000
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N150S8 8541.10.0080 300 n 채널 150 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 625 pf @ 75 v - 3.1W (TA)
RM50N150DF Rectron USA RM50N150DF 0.6400
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N150DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 150 v 50A (TC) 10V 19mohm @ 30a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 5200 pf @ 50 v - 100W (TC)
RM40N200TI Rectron USA RM40N200TI 0.7600
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40N200TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 200 v 40A (TA) 10V 41mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 6500 pf @ 25 v - 60W (TA)
RM3400 Rectron USA RM3400 0.4100
RFQ
 ECAD 7462 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3400tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 2.5V, 10V 41mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250µA ± 12V 820 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
RM130N200T7 Rectron USA RM130N200T7 4.3000
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM130N200T7 8541.10.0080 1,800 n 채널 200 v 132A (TC) 10V 10.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4970 pf @ 100 v - 429W (TC)
RM2312 Rectron USA RM2312 0.0440
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2312TR 8541.10.0080 30,000 n 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 4.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 12V 500 pf @ 8 v - 1.25W (TA)
RM130N100HD Rectron USA RM130N100HD 0.7000
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM130N100HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4570 pf @ 25 v - 120W (TC)
RM21N700TI Rectron USA RM21N700TI 1.3300
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM21N700TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 700 v 21A (TC) 10V 190mohm @ 10.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 1950 pf @ 50 v - 34W (TC)
R3000F-B Rectron USA R3000F-B 0.0930
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Rectron USA - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R3000F-B 귀 99 8541.10.0080 1,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 5 v @ 200 ma 500 ns 5 µa @ 3000 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 30pf @ 4V, 1MHz
BR34 Rectron USA BR34 0.5000
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 Rectron USA - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-BR34 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 400 v 3 a 단일 단일 400 v
1N4004-T Rectron USA 1N4004-T 0.0220
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-1N4004-T.tr 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 1 V @ 1 a 200 na @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
R5000F Rectron USA R5000F 0.1600
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R5000FTR 귀 99 8541.10.0080 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 5000 v 6.5 V @ 200 ma 500 ns 5 µa @ 5000 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 30pf @ 4V, 1MHz
KBL604 Rectron USA KBL604 0.6800
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL604 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
KBL606 Rectron USA KBL606 0.6800
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL606 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
KBL602 Rectron USA KBL602 0.6800
RFQ
 ECAD 6209 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL602 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v 6 a 단일 단일 100 v
RM70P30LD Rectron USA RM70P30LD 0.2800
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM70P30LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3450 pf @ 25 v - 90W (TC)
RM210N75HD Rectron USA RM210N75HD 0.9200
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM210N75HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 75 v 210A (TC) 10V 4mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 11000 pf @ 25 v - 330W (TC)
RM4N650TI Rectron USA RM4N650TI 0.4200
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N650TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 28.5W (TC)
MB4F Rectron USA MB4F 0.3000
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-mb4ftr 귀 99 8541.10.0080 40,000 1.1 v @ 800 ma 1 µa @ 400 v 800 MA 단일 단일 400 v
HDB208LS Rectron USA HDB208LS 0.3500
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-HDB208LSTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 1.7 V @ 2 a 2 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
1N4007-F Rectron USA 1N4007-F 0.0220
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-1n4007-ftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1 V @ 1 a 200 na @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
KBL410 Rectron USA KBL410 0.5500
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-KBL410 귀 99 8541.10.0080 4,600 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
RM80N100T2 Rectron USA RM80N100T2 0.5100
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 5480 pf @ 50 v - 125W (TC)
RM70P40LD Rectron USA RM70P40LD 0.3800
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM70P40LD 8541.10.0080 4,000 p 채널 40 v 70A (TC) 10V 10MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 5380 pf @ 20 v - 130W (TC)
RL1N1000F Rectron USA RL1N1000F 0.0380
RFQ
 ECAD 7323 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 A-405 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RL1N1000FTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.8 v @ 500 ma 300 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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