SIC
close

불연속 불연속 제품 (885)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2RS104M Rectron USA 2RS104m 0.3600
RFQ
 ECAD 2185 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-1M 기준 RS-1M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-2RS104m 귀 99 8541.10.0080 5,280 1.1 v @ 2 a 2 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
DTC123JUA Rectron USA DTC123JUA 0.0410
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DTC123Juatr 귀 99 8541.10.0080 24,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 46.2 KOHMS
RM130N30D3 Rectron USA RM130N30D3 0.2200
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm130n30d3tr 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 130A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 2.4V @ 250µA ± 20V 4200 pf @ 15 v - 45W (TC)
RM3003S6 Rectron USA RM3003S6 0.0980
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RM3003 MOSFET (금속 (() 1.2W (TA) TSOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3003S6tr 8541.10.0080 30,000 n 및 p 채널 30V 3.5A (TA), 2.7A (TA) 58mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10v 1.3V @ 250µA, 2.5V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 15v, 199pf @ 15v -
RM20N650TI Rectron USA RM20N650TI 1.0400
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM20N650TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA ± 30V 2600 pf @ 50 v - 33W (TC)
HVM8 Rectron USA HVM8 1.3100
RFQ
 ECAD 6117 0.00000000 Rectron USA - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 HVM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-HVM8 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 8000 v 14 v @ 350 ma 5 µa @ 8000 v -20 ° C ~ 150 ° C 350ma -
MMSZ5232BS Rectron USA MMSZ5232BS 0.0400
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -30 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 500MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-MMSZ5232BSTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
RM8N700T2 Rectron USA RM8N700T2 0.6800
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N700T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 700 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 680 pf @ 50 v - 80W (TC)
MMSZ4697T Rectron USA MMSZ4697T 0.0500
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2516-MMSZ4697TTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 7.6 v 10 v
DB105LS Rectron USA DB105L 0.3200
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB105LSTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 1 V @ 1 a 1 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
RM80N80HD Rectron USA RM80N80HD 0.5200
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N80HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 80 v 80A (TA) 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4400 pf @ 25 v - 170W (TA)
EDB102 Rectron USA EDB102 0.5400
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) 기준 DB-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-EDB102 귀 99 8541.10.0080 15,000 1.05 V @ 1 a 5 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
RM12N650T2 Rectron USA RM12N650T2 0.6700
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM12N650T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 870 pf @ 50 v - 101W (TC)
RM2004NE Rectron USA RM2004NE 0.0900
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 RM2004 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2004netr 8541.10.0080 30,000 2 n 채널 (채널) 20V 6A (TA) 24mohm @ 6a, 10V 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 650pf @ 10V -
RM17N800TI Rectron USA RM17N800TI 1.5300
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM17N800TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 320mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2060 pf @ 50 v - 35W (TC)
RM80N80T2 Rectron USA RM80N80T2 0.5200
RFQ
 ECAD 3910 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N80T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 80 v 80A (TA) 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4100 pf @ 25 v - 170W (TA)
RM30N100T2 Rectron USA RM30N100T2 0.3900
RFQ
 ECAD 2008 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM30N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 30A (TC) 10V 28mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 2000 pf @ 25 v - 75W (TC)
BAV70 Rectron USA bav70 0.0300
RFQ
 ECAD 6307 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav70 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-bav70tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 70 v -55 ° C ~ 150 ° C
R1500G Rectron USA R1500G 0.0550
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R1500GTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 짐 1500 v 1.2 v @ 1.5 a 3 µs 2 µa @ 1500 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
RM2333 Rectron USA RM2333 0.0520
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2333TR 8541.10.0080 30,000 p 채널 12 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 1100 pf @ 6 v - 1.8W (TA)
FFM1800W Rectron USA FFM1800W 0.0420
RFQ
 ECAD 7490 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-FFM1800wtr 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1800 v 1.8 v @ 500 ma 300 ns 5 µa @ 1800 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 15pf @ 4V, 1MHz
RL1N1500F Rectron USA RL1N1500F 0.0380
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 A-405 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RL1N1500FTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 1.8 v @ 500 ma 300 ns 5 µa @ 1500 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
RS205M Rectron USA RS205M 0.5500
RFQ
 ECAD 7835 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-2M 기준 RS-2M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS205m 귀 99 8541.10.0080 2,700 1.05 V @ 2 a 200 na @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
1F12 Rectron USA 1F12 0.0550
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-1, 방향 축 기준 R-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-1f12tr 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.8 v @ 500 ma 300 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 15pf @ 4V, 1MHz
FM340-W Rectron USA FM340-W 0.1200
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-FM340-WTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 550 mV @ 3 a 6 ns 60 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
RM35P30LDV Rectron USA RM35P30LDV 0.1980
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM35P30LDVTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 1345 pf @ 15 v - 40W (TC)
R3000G Rectron USA R3000G 0.0880
RFQ
 ECAD 4128 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R3000GTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 짐 3000 v 3 v @ 200 ma 5 µa @ 3000 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 30pf @ 4V, 1MHz
2N7002KS6 Rectron USA 2N7002KS6 0.0430
RFQ
 ECAD 6245 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-2n7002ks6tr 8541.10.0080 30,000 2 n 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 5ohm @ 500ma, 10V 1.9V @ 250µA - - -
RM35N30DF Rectron USA RM35N30DF 0.2700
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM35N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 2330 pf @ 15 v - 40W (TC)
FFM201-W Rectron USA FFM201-W 0.0700
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-FFM201-WTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1.3 V @ 2 a 150 ns 2 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다