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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
MB3S Rectron USA MB3 0.3300
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MD-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-mb3str 귀 99 8541.10.0080 24,000 1.05 V @ 500 mA 5 µa @ 200 v 500 MA 단일 단일 200 v
RS804M Rectron USA Rs804m 0.9100
RFQ
 ECAD 7627 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-8M 기준 Rs-8m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS804m 귀 99 8541.10.0080 2,400 1.05 V @ 8 a 500 NA @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
RM6N800TI Rectron USA RM6N800TI 0.8200
RFQ
 ECAD 7478 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6N800TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 6A (TJ) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 1320 pf @ 50 v - 32.4W (TC)
HSLDB108S Rectron USA HSLDB108S 0.3300
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 SLDBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-HSLDB108STR 귀 99 8541.10.0080 40,000 1.7 V @ 1 a 500 NA @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
RS3502M Rectron USA Rs3502m 2.4800
RFQ
 ECAD 4268 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-35M 기준 Rs-35m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS3502M 귀 99 8541.10.0080 1,200 1 V @ 17.5 a 500 NA @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
RM7N40S4 Rectron USA RM7N40S4 0.2200
RFQ
 ECAD 4861 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM7N40S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 40 v 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 2V @ 250µA ± 20V 770 pf @ 40 v - 16W (TA)
RM60N30DF Rectron USA RM60N30DF 0.1400
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm60n30dftr 8541.10.0080 40,000 n 채널 30 v 58A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 1844 pf @ 15 v - 46W (TC)
MP154W Rectron USA MP154W 1.8500
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 Rectron USA - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, MP-15 기준 MP-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-MP154W 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 7.5 a 500 NA @ 400 v 15 a 단일 단일 400 v
RS2502M Rectron USA Rs2502m 1.3500
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-25M 기준 Rs-25m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS2502M 귀 99 8541.10.0080 1,200 1 V @ 12.5 a 500 NA @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
DB202LS Rectron USA DB202L 0.3900
RFQ
 ECAD 3887 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB202LSTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
RM50N30DN Rectron USA RM50N30DN 0.2400
RFQ
 ECAD 1488 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm50n30dntr 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 50A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 1840 pf @ 25 v - 3.57W (TA)
RM5N650IP Rectron USA RM5N650IP 0.4500
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N650IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 650 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 460 pf @ 50 v - 49W (TC)
RBU1002M Rectron USA RBU1002M 0.7900
RFQ
 ECAD 9382 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBU 기준 RBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RBU1002M 귀 99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 5 a 1 µa @ 100 v 10 a 단일 단일 100 v
MSB302S Rectron USA MSB302S 0.3600
RFQ
 ECAD 5893 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 MSB30 기준 MSB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-MSB302STR 귀 99 8541.10.0080 24,000 1.1 v @ 3 a 1 µa @ 100 v 3 a 단일 단일 100 v
LDB105S Rectron USA LDB105S 0.3800
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DB-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-LDB105STR 귀 99 8541.10.0080 24,000 1 V @ 1 a 1 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
FM4001W-W Rectron USA FM4001W-W 0.0350
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516 -FM4001W -WTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
RS605 Rectron USA RS605 0.9800
RFQ
 ECAD 7983 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-6 기준 RS-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS605 귀 99 8541.10.0080 1,600 1.05 V @ 6 a 200 na @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
HVM10 Rectron USA HVM10 1.3500
RFQ
 ECAD 9528 0.00000000 Rectron USA - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 HVM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-HVM10 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 10000 v 14 v @ 350 ma 5 µa @ 10000 v -20 ° C ~ 150 ° C 350ma -
RM4606S8 Rectron USA RM4606S8 0.1100
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM4606 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4606S8tr 8541.10.0080 40,000 n 및 p 채널 30V 6.5A (TA), 7A (TA) 30mohm @ 6a, 10v, 33mohm @ 6.5a, 10v 3V @ 250µA, 2.5V @ 250µA 13nc @ 10v, 9.2nc @ 10v 255pf @ 15v, 520pf @ 15v -
RS406M Rectron USA Rs406m 0.7800
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-4M 기준 RS-4M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS406M 귀 99 8541.10.0080 1,800 1.05 V @ 4 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
RM45N60DF Rectron USA RM45N60DF 0.4500
RFQ
 ECAD 9267 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM45N60DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 60 v 45A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 2180 pf @ 30 v - 60W (TC)
RM6N800T2 Rectron USA RM6N800T2 0.8200
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6N800T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 1320 pf @ 50 v - 98W (TC)
RM6A5P30S8 Rectron USA RM6A5P30S8 0.1900
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM6A5 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6A5P30S8tr 8541.10.0080 40,000 2 p 채널 (채널) 30V 6.5A (TA) 25mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 12.6NC @ 4.5V 1345pf @ 15V -
2N7002K36 Rectron USA 2N7002K36 0.0450
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SOT-23-6 2N7002 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-2N7002K36TR 8541.10.0080 30,000 2 n 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 3ohm @ 500ma, 10V 1.9V @ 250µA - - -
RM6005S4 Rectron USA RM6005S4 0.1550
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6005S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 450 pf @ 25 v - 2W (TA)
RM150N30LT2 Rectron USA RM150N30LT2 0.2800
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N30LT2 8541.10.0080 5,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA ± 20V 3400 pf @ 25 v - 150W (TC)
RM130N100T2 Rectron USA RM130N100T2 0.6900
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM130N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4570 pf @ 25 v - 120W (TC)
RM10N100LD Rectron USA RM10N100LD 0.1480
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM10N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 100 v 10A (TC) 4.5V, 10V 130mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA ± 20V 730 pf @ 50 v - 40W (TC)
1N4003-T Rectron USA 1N4003-T 0.0220
RFQ
 ECAD 3075 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-1N4003-TTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1 V @ 1 a 200 na @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
RM2301 Rectron USA RM2301 0.0420
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2301tr 8541.10.0080 30,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 110mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 405 pf @ 10 v - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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