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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
R4000 Rectron USA R4000 0.1200
RFQ
ECAD 9761 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R4000tr 귀 99 8541.10.0080 20,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 4000 v 5 v @ 200 ma 5 µa @ 4000 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 30pf @ 4V, 1MHz
R1500F Rectron USA R1500F 0.0390
RFQ
ECAD 6452 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R1500FTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 2.5 V @ 500 MA 500 ns 5 µa @ 1500 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
RM4N700S4 Rectron USA RM4N700S4 0.3200
RFQ
ECAD 2116 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-3 MOSFET (금속 (() SOT-223-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N700S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 304 pf @ 50 v - 5.2W (TC)
RM2303 Rectron USA RM2303 0.0450
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2303tr 8541.10.0080 30,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 226 pf @ 15 v - 1W (TA)
LL4148-T Rectron USA LL4148-T 0.0140
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 기준 LL-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-LL4148-TTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 175 ° C (°) 500ma 4pf @ 0V, 1MHz
FM4006-W Rectron USA FM4006-W 0.0350
RFQ
ECAD 5285 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-FM4006-WTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 1 V @ 1 a 500 NA @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
RM8205F Rectron USA RM8205F 0.0680
RFQ
ECAD 8238 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 RM8205 MOSFET (금속 (() 1.14W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8205FTR 8541.10.0080 30,000 2 n 채널 (채널) 20V 6A (TA) 17mohm @ 1a, 4.5v, 20mohm @ 6a, 4.5v 1.2V @ 250µA - 1035pf @ 20V -
RM2310 Rectron USA RM2310 0.0600
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2310tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 1.9V @ 250µA ± 20V 247 pf @ 30 v - 1.7W (TA)
RM20N650T2 Rectron USA RM20N650T2 1.0400
RFQ
ECAD 2976 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM20N650T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA ± 30V 2600 pf @ 50 v - 180W (TC)
RM60N40LD Rectron USA RM60N40LD 0.3300
RFQ
ECAD 5995 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM60N40LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 40 v 60A (TC) 10V 13mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 1800 pf @ 20 v - 65W (TC)
RM60P04Y Rectron USA RM60P04Y 0.1200
RFQ
ECAD 6387 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm60p04ytr 8541.10.0080 30,000 p 채널 60 v 4A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 930 pf @ 30 v - 1.5W (TC)
RM42N200DF Rectron USA RM42N200DF 1.2400
RFQ
ECAD 5658 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM42N200DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 200 v 42A (TC) 10V 32mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 1598 pf @ 100 v - 150W (TC)
RM12N650LD Rectron USA RM12N650LD 0.5400
RFQ
ECAD 1516 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM12N650LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 650 v 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 870 pf @ 50 v - 101W (TC)
RM150N60T2 Rectron USA RM150N60T2 0.5800
RFQ
ECAD 3725 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N60T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 60 v 150A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 6500 pf @ 25 v - 220W (TC)
BSS127 Rectron USA BSS127 0.0390
RFQ
ECAD 5738 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-BSS127TR 8541.10.0080 30,000 n 채널 600 v 21MA (TA) 4.5V, 10V 500ohm @ 16ma, 10V 2.6V @ 8µA ± 20V 28 pf @ 25 v - 500MW (TA)
RM50N60TI Rectron USA RM50N60TI 0.2400
RFQ
ECAD 2760 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N60TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 60 v 50A (TA) 10V 20MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 2050 pf @ 30 v - 85W (TA)
RM8A5P60S8 Rectron USA RM8A5P60S8 0.2900
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8A5P60S8tr 8541.10.0080 40,000 p 채널 60 v 8.5A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3900 pf @ 25 v - 4.1W (TC)
RM50N60LD Rectron USA RM50N60LD 0.2400
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N60LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 20MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 2050 pf @ 30 v - 85W (TC)
RM8N700IP Rectron USA RM8N700IP 0.4700
RFQ
ECAD 6594 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N700IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 700 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 590 pf @ 50 v - 69W (TC)
RM135N100T2 Rectron USA RM135N100T2 1.0100
RFQ
ECAD 9997 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM135N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 135A (TC) 10V 4.5mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 7500 pf @ 50 v - 220W (TC)
RM4953 Rectron USA RM4953 0.0880
RFQ
ECAD 8727 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM495 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4953TR 8541.10.0080 40,000 2 p 채널 (채널) 30V 5.1A (TA) 55mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 520pf @ 15V -
RM70P30DF Rectron USA RM70P30DF 0.2900
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm70p30dftr 8541.10.0080 40,000 p 채널 30 v 70A (TA) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3450 pf @ 25 v - 90W (TA)
RM1A4N150S6 Rectron USA RM1A4N150S6 0.1800
RFQ
ECAD 1722 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM1A4N150S6tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 150 v 1.4A (TC) 6V, 10V 480mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 700 pf @ 25 v - 1.56W (TC)
RM40P40LD Rectron USA RM40P40LD 0.2600
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40P40LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 40 v 40A (TC) 10V 14mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 2960 pf @ 20 v - 80W (TC)
RM150N150HD Rectron USA RM150N150HD 1.7500
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N150HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 150 v 150A (TC) 10V 7.2MOHM @ 70A, 10V 4V @ 250µA ± 20V 5500 pf @ 75 v - 320W (TC)
RM10N40S8 Rectron USA RM10N40S8 0.2900
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM10N MOSFET (금속 (() 2.1W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM10N40S8tr 8541.10.0080 40,000 2 n 채널 (채널) 40V 10A (TC) 15mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 26NC @ 4.5V 2000pf @ 20V -
RMA4N60092 Rectron USA RMA4N60092 0.1400
RFQ
ECAD 9871 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RMA4N60092TR 8541.10.0080 10,000 n 채널 600 v 400MA (TC) 10V 8.5ohm @ 200ma, 10V 5V @ 250µA ± 30V 130 pf @ 25 v - 2.5W (TC)
RM8N650T2 Rectron USA RM8N650T2 0.5200
RFQ
ECAD 8364 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N650T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 450mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 680 pf @ 50 v - 80W (TC)
RM80N150T2 Rectron USA RM80N150T2 0.8800
RFQ
ECAD 4712 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N150T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 150 v 80A (TC) 10V 12.5mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 3200 pf @ 75 v - 210W (TC)
RM20P30D3 Rectron USA RM20P30D3 0.2300
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm20p30d3tr 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 15a, 10V 1.9V @ 250µA ± 20V 2130 pf @ 25 v - 35W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고