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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
1N5404G-T Rectron USA 1N5404G-T 0.1100
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-1n5404g-ttr 귀 99 8541.10.0080 1,200 짐 400 v 980 MV @ 3 a 500 NA @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
RM4P30S6 Rectron USA RM4P30S6 0.0520
RFQ
 ECAD 2091 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4P30S6TR 8541.10.0080 30,000 p 채널 30 v 4.2A (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA ± 12V 880 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
RM3401Y Rectron USA RM3401Y 0.0460
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm3401ytr 8541.10.0080 30,000 p 채널 30 v 4.2A (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA ± 12V 880 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
HVM16 Rectron USA HVM16 2.1000
RFQ
 ECAD 7709 0.00000000 Rectron USA - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 HVM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-HVM16 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 16000 v 14 v @ 350 ma 5 µa @ 16000 v -20 ° C ~ 150 ° C 350ma -
FFM104W-W Rectron USA FFM104W-W 0.0400
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516 -FFM104W -WTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
4RS205M Rectron USA 4RS205m 0.5200
RFQ
 ECAD 9939 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-2M 기준 RS-2M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-4RS205m 귀 99 8541.10.0080 3,600 1.1 v @ 4 a 2 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
RBU2505M-C-LV Rectron USA RBU2505M-C-LV 1.0200
RFQ
 ECAD 8397 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBU 기준 RBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RBU2505M-C-LV 귀 99 8541.10.0080 2,000 920 MV @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
RM15P55LD Rectron USA RM15P55LD 0.2800
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM15P55LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 55 v 15A (TC) 10V 75mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 20V 1450 pf @ 20 v - 35W (TC)
RM100N60T7 Rectron USA RM100N60T7 0.6800
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM100N60T7 8541.10.0080 1,800 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4800 pf @ 30 v - 170W (TC)
RM2A8N60S4 Rectron USA RM2A8N60S4 0.1100
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2A8N60S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 715 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
RS401L Rectron USA RS401L 0.7800
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-4L 기준 RS-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS401L 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.05 V @ 4 a 2 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
RS1002M Rectron USA Rs1002m 0.9800
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-10M 기준 RS-10M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS1002m 귀 99 8541.10.0080 1,800 1.1 v @ 5 a 5 µa @ 100 v 10 a 단일 단일 100 v
RM6N800LD Rectron USA RM6N800LD 0.7000
RFQ
 ECAD 3906 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6N800LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 1290 pf @ 50 v - 98W (TC)
HDB108LS Rectron USA HDB108LS 0.3300
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-HDB108LSTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 1.7 V @ 1 a 50 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
MB10F Rectron USA MB10F 0.3000
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-mb10ftr 귀 99 8541.10.0080 40,000 1.1 v @ 800 ma 1 µa @ 1000 v 800 MA 단일 단일 1kv
DB101S Rectron USA DB101S 0.3200
RFQ
 ECAD 5467 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DB-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB101STR 귀 99 8541.10.0080 8,000 1 V @ 1 a 1 µa @ 50 v 1 a 단일 단일 50 v
RMD7N40DN Rectron USA RMD7N40DN 0.2400
RFQ
 ECAD 1566 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn RMD7N MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 12W (TC) 8-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rmd7n40dntr 8541.10.0080 25,000 2 n 채널 (채널) 40V 7A (TA), 20A (TC) 20mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 720pf @ 20V -
RM3010 Rectron USA RM3010 0.1300
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm3010tr 8541.10.0080 40,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 3V @ 250µA ± 20V 1550 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
RM50N200T2 Rectron USA RM50N200T2 1.2200
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N200T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 200 v 51A (TC) 10V 32mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 1598 pf @ 100 v - 214W (TC)
RM2308 Rectron USA RM2308 0.0690
RFQ
 ECAD 1219 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2308tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 1.9V @ 250µA ± 20V 247 pf @ 30 v - 1.7W (TA)
RM4N650LD Rectron USA RM4N650LD 0.3300
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N650LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 46W (TC)
DB1512S Rectron USA DB1512S 0.4200
RFQ
 ECAD 7174 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DB-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DB1512STR 귀 99 8541.10.0080 8,000 1 V @ 1.5 a 1 µa @ 1200 v 1.5 a 단일 단일 1.2kV
RM15N650T2 Rectron USA RM15N650T2 0.9200
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM15N650T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 260mohm @ 8a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 1360 pf @ 50 v - 145W (TC)
RM42P30DN Rectron USA RM42P30DN 0.1550
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM42P30DNTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 42A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 2215 pf @ 15 v - 37W (TC)
RM80N30DN Rectron USA RM80N30DN 0.2900
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm80n30dntr 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3190 pf @ 25 v - 66W (TC)
RM2020ES9 Rectron USA RM2020ES9 0.0550
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RM2020 MOSFET (금속 (() 150MW (TA), 800MW (TA) SOT-363-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2020es9tr 8541.10.0080 30,000 n 및 p 채널 20V 750ma (TA), 800ma (TA) 1.2ohm @ 500ma, 4.5v, 380mohm @ 650ma, 4.5v 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA 0.0018NC @ 10V, 0.75NC @ 4.5V 87pf @ 10v, 120pf @ 16v -
R2000F-T Rectron USA R2000F-T 0.0550
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-R2000F-TTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 4 v @ 200 ma 500 ns 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 175 ° C 200ma -
RM150N100T2 Rectron USA RM150N100T2 0.8400
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 150A (TC) 10V 4.2MOHM @ 70A, 10V 4V @ 250µA +20V, -12V 6680 pf @ 50 v - 275W (TC)
RM4N650IP Rectron USA RM4N650IP 0.3300
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N650IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 46W (TC)
RM100N60T2 Rectron USA RM100N60T2 0.3500
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM100N60T2TR 8541.10.0080 4,000 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4800 pf @ 30 v - 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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