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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 현재- 정류 평균 (IO) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) |
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![]() | RM80N20DN | 0.2600 | ![]() | 3119 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rm80n20dntr | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 20 v | 80A (TC) | 1.8V, 4.5V | 3.5mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 12V | 5500 pf @ 10 v | - | 66W (TC) | |||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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