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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
MBR12040CT GeneSiC Semiconductor MBR12040CT 68.8455
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12040 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1024 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 120A (DC) 650 mV @ 120 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40035L GeneSiC Semiconductor MBRT40035L -
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA500200R GeneSiC Semiconductor MBRTA500200R -
RFQ
 ECAD 5719 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 250A 920 MV @ 250 a 4 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH30030L GeneSiC Semiconductor MBRH30030L -
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 300 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
MBRTA60030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60030RL -
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 300A 580 mV @ 300 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBU10005 GeneSiC Semiconductor KBU10005 0.8205
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBU10005GN 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
MURH10060R GeneSiC Semiconductor MURH10060R 49.5120
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 murh10060 표준, 극성 역 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murh10060rgn 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 100 a 110 ns 25 µa @ 600 v 100A -
MBRT120200 GeneSiC Semiconductor MBRT120200 75.1110
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 60a 920 MV @ 60 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12045 GeneSiC Semiconductor MBRH12045 60.0375
RFQ
 ECAD 1810 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH12045GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 mV @ 120 a 4 ma @ 20 v 120a -
MBRF20040 GeneSiC Semiconductor MBRF20040 -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 100A 700 mV @ 100 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
2W02M GeneSiC Semiconductor 2W02m -
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM 기준 WOM 다운로드 1 (무제한) 2w02mgn 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
MBRF20035R GeneSiC Semiconductor MBRF20035R -
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 100A 700 mV @ 100 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R 21.5010
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N6098R Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N6098RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mV @ 50 a 5 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 50a -
1N5828R GeneSiC Semiconductor 1N5828R 13.3005
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N5828R Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5828RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 15 a 10 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 15a -
MBRTA40030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40030RL -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 200a 580 mV @ 200 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURF10060R GeneSiC Semiconductor MURF10060R -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244AB - 1 (무제한) MURF10060RGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 50a 1.7 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBU4D GeneSiC Semiconductor GBU4D 0.4725
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu4dgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor MUR30040CT 118.4160
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR30040 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur30040ctgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 150a 1.5 v @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR30005CT GeneSiC Semiconductor mur30005ct -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur30005ctgn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 150a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA20020R GeneSiC Semiconductor MURTA20020R 145.3229
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURTA20020 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 양극 양극 공통 200 v 100A 1.3 V @ 100 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBL404G GeneSiC Semiconductor KBL404G 0.5385
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL404 기준 KBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBL404GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBU15B GeneSiC Semiconductor GBU15B 0.6120
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBU15BGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
KBPM304G GeneSiC Semiconductor KBPM304G -
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM304GGN 귀 99 8541.10.0080 900 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 400 v
GBU15M GeneSiC Semiconductor GBU15M 0.6120
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu15mgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
GBPC2506T GeneSiC Semiconductor GBPC2506T 4.2000
RFQ
 ECAD 923 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2506 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
KBPM208G GeneSiC Semiconductor KBPM208G -
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM208GGN 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 800 v
GBU4J GeneSiC Semiconductor GBU4J 0.4725
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu4jgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
KBPM306G GeneSiC Semiconductor KBPM306G -
RFQ
 ECAD 1588 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM306GGN 귀 99 8541.10.0080 900 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 600 v
KBP208G GeneSiC Semiconductor KBP208G 0.2280
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP208 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP208GG 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 800 v
GBPC25005W GeneSiC Semiconductor GBPC25005W 2.5335
RFQ
 ECAD 5871 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC25005 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBPC25005WGS 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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