SIC
close

불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0.2325
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB155 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) DB155GGN 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
KBP208G GeneSiC Semiconductor KBP208G 0.2280
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP208 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP208GG 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 800 v
GBU4B GeneSiC Semiconductor GBU4B 0.4725
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
BR84 GeneSiC Semiconductor BR84 0.8910
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-8 기준 BR-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR84GN 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
GBJ35B GeneSiC Semiconductor GBJ35B 1.6410
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ35 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ35B 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
GBJ25K GeneSiC Semiconductor GBJ25K 0.9795
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ25 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ25K 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
GBJ6M GeneSiC Semiconductor GBJ6M 0.6645
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ6 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-gbj6m 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
GBJ10J GeneSiC Semiconductor GBJ10J 0.7470
RFQ
 ECAD 8686 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ10 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ10J 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 a 5 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
GBJ15J GeneSiC Semiconductor GBJ15J 0.7875
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ15 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ15J 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 a 5 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
GBJ30K GeneSiC Semiconductor GBJ30K 1.1205
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ30 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ30K 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 a 5 µa @ 800 v 30 a 단일 단일 800 v
GBJ25G GeneSiC Semiconductor GBJ25G 0.9795
RFQ
 ECAD 6281 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ25 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ25G 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
GBJ20D GeneSiC Semiconductor GBJ20D 0.9120
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ20 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ20D 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 10 a 5 µa @ 200 v 20 a 단일 단일 200 v
KBU8K GeneSiC Semiconductor KBU8K 0.7425
RFQ
 ECAD 6174 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU8 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) kbu8kgn 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µa @ 800 v 8 a 단일 단일 800 v
GBPC5004W GeneSiC Semiconductor GBPC5004W 4.0155
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5004 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 400 v 50 a 단일 단일 400 v
GBPC25005W GeneSiC Semiconductor GBPC25005W 2.5335
RFQ
 ECAD 5871 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC25005 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBPC25005WGS 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor M3P75A-60 -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 5-SMD 모듈 기준 5-SMD - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 10 µa @ 600 v 75 a 3 단계 600 v
GBPC1508T GeneSiC Semiconductor GBPC1508T 2.4180
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC1508 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
S150JR GeneSiC Semiconductor S150JR 35.5695
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 S150 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S150JRGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 600 v 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
KBP204 GeneSiC Semiconductor KBP204 0.3750
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP204GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 400 v
GBPC1510T GeneSiC Semiconductor GBPC1510T 2.4180
RFQ
 ECAD 2180 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC GBPC1510 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
KBPC5010T GeneSiC Semiconductor KBPC5010T 4.2700
RFQ
 ECAD 331 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC5010 기준 KBPC-T 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1N1206AR 4.2345
RFQ
 ECAD 6866 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1206AR 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1012 귀 99 8541.10.0080 250 짐 600 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
1N4593R GeneSiC Semiconductor 1N4593R 35.5695
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N4593R 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N4593RGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 800 v 1.5 V @ 150 a 5.5 ma @ 800 v -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRH24030 GeneSiC Semiconductor MBRH24030 76.4925
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 720 MV @ 240 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3211 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3211gn 귀 99 8541.10.0080 100 짐 300 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MBRT12035R GeneSiC Semiconductor MBRT12035R 75.1110
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT12035 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12035RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 60a 750 MV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S40B GeneSiC Semiconductor S40B 10.3200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 짐 100 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
S6MR GeneSiC Semiconductor S6MR 3.8625
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S6M 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s6mrgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1000 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
KBP202 GeneSiC Semiconductor KBP202 0.3750
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP202GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다