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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재의 전압 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
MBRH20040L GeneSiC Semiconductor MBRH20040L -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 200 a 5 ma @ 40 v 200a -
FST100200 GeneSiC Semiconductor FST100200 65.6445
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 50a 920 MV @ 50 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ35K GeneSiC Semiconductor GBJ35K 1.6410
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ35 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ35K 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 800 v 35 a 단일 단일 800 v
1N4594 GeneSiC Semiconductor 1N4594 35.5695
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N4594 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N4594GN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1000 v 1.5 V @ 150 a 4.5 ma @ 1000 v -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040th65-227SP 1.0000
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 GA040 하나의 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 10 780 MA 6.5kV 69 a - 30 MA 40 a 1 scr
MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTL -
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3209R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3209RGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 100 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
S85VR GeneSiC Semiconductor S85VR 15.2800
RFQ
 ECAD 597 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 S85V 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1400 v 1.1 v @ 85 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 85A -
UFT10005 GeneSiC Semiconductor UFT10005 -
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AB 기준 TO-249AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 50a 1 V @ 50 a 60 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
GKN71/16 GeneSiC Semiconductor GKN71/16 12.7059
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 GKN71 기준 DO-5 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1600 v 1.5 V @ 60 a 10 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 180 ° C 95A -
MBRH24060 GeneSiC Semiconductor MBRH24060 76.4925
RFQ
 ECAD 1741 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 780 mV @ 240 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MSRT250100A GeneSiC Semiconductor MSRT250100A 54.2296
RFQ
 ECAD 8363 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT250100 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1000 v 250A (DC) 1.2 V @ 250 a 15 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30045 GeneSiC Semiconductor MBRT30045 107.3070
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1088 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 150a 750 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20040 GeneSiC Semiconductor MBRH20040 70.0545
RFQ
 ECAD 4092 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20040GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MBR3545 GeneSiC Semiconductor MBR3545 17.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR3545GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 680 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MBRH15035RL GeneSiC Semiconductor MBRH15035RL -
RFQ
 ECAD 5227 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky, 역, D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 600 mV @ 150 a 3 ma @ 35 v 150a -
MSRTA20060AD GeneSiC Semiconductor MSRTA20060AD 85.9072
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA200 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 짐 1 연결 연결 시리즈 600 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR7560 GeneSiC Semiconductor MBR7560 20.8845
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr7560gn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 75 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
GKR240/18 GeneSiC Semiconductor GKR240/18 73.7988
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 GKR240 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8 짐 1800 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 1800 v -55 ° C ~ 150 ° C 165a -
MBRTA80080 GeneSiC Semiconductor MBRTA80080 -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 400A 840 mV @ 400 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N3289AR GeneSiC Semiconductor 1N3289AR 33.5805
RFQ
 ECAD 1862 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N3289AR 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3289ARGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 200 v 1.5 v @ 100 a 24 ma @ 200 v -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
FR20J02 GeneSiC Semiconductor FR20J02 9.0510
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR20J02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 20 a 250 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227 -
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 - 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10 - 50 a 1.2kV -
1N1187R GeneSiC Semiconductor 1N1187R 7.4730
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1187R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N1187RGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 300 v 1.2 v @ 35 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor MURTA40020 159.9075
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 음극 음극 공통 200 v 200a 1.3 V @ 200 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J 23.9900
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GC05MPS33J 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 3300 v 0 ns 175 ° C 5a -
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor MUR20005CT -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur20005ctgn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 100A 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247 -
RFQ
 ECAD 7683 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 - 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 10 a 1.2kV -
MURT30020R GeneSiC Semiconductor MURT30020R 118.4160
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURT30020 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt30020rgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 150a 1.3 v @ 150 a 100 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF12030R GeneSiC Semiconductor MBRF12030R -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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