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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
FR85GR02 GeneSiC Semiconductor FR85GR02 24.1260
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1010 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 85 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
MBR30035CTR GeneSiC Semiconductor MBR30035ctr 98.8100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR30035 Schottky, 역, 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1089 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 150a 700 mV @ 150 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
S70K GeneSiC Semiconductor S70K 9.8985
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S70KGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 800 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
MBRH24030R GeneSiC Semiconductor MBRH24030R 76.4925
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH24030 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 720 MV @ 240 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MBRT40035R GeneSiC Semiconductor MBRT40035R 118.4160
RFQ
 ECAD 4022 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT40035 Schottky, 역, 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1100 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 200a 750 mV @ 200 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR500200CT GeneSiC Semiconductor MBR500200CT -
RFQ
 ECAD 2566 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 250A 920 MV @ 250 a 3 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16D02 GeneSiC Semiconductor FR16D02 8.1330
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16D02GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 16 a 200 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MURTA30060R GeneSiC Semiconductor MURTA30060R 159.9075
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURTA30060 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 양극 양극 공통 600 v 150a 1.7 V @ 150 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60020 GeneSiC Semiconductor MBRF60020 -
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 300A 650 mV @ 300 a 10 ma @ 20 v -40 ° C ~ 175 ° C
MBRF120200R GeneSiC Semiconductor MBRF120200R -
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 60a 920 MV @ 60 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURF30020 GeneSiC Semiconductor MURF30020 -
RFQ
 ECAD 7055 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 200 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40020CT GeneSiC Semiconductor MBR40020CT 98.8155
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR40020 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR40020CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 200a 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46 48.4900
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 GB02SHT03 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky To-46 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1255 귀 99 8541.10.0080 200 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 300 v 1.6 V @ 1 a 0 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 225 ° C 4a 76pf @ 1v, 1MHz
MBRT60030 GeneSiC Semiconductor MBRT60030 140.2020
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbrt60030gn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 13.3500
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 GC50MPS06 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1346 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 175 ° C (°) 50a -
MBRH24045 GeneSiC Semiconductor MBRH24045 76.4925
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 720 MV @ 240 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MBR2X100A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A060 50.2485
RFQ
 ECAD 3572 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X100 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 60 v 100A 750 MV @ 100 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA400100A 60.2552
RFQ
 ECAD 5122 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA400100 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1000 v 400A (DC) 1.2 v @ 400 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT50060 GeneSiC Semiconductor MBRT50060 -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT50060GN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 250A 800 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA300140D GeneSiC Semiconductor MSRTA300140D 159.9075
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 MSRTA300 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRTA300140D 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 연결 연결 시리즈 1400 v 300A 1.1 v @ 300 a 20 µa @ 1400 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16G02 GeneSiC Semiconductor FR16G02 8.1330
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16G02GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 900 mV @ 16 a 200 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRH30040L GeneSiC Semiconductor MBRH30040L -
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 300 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
GKR26/08 GeneSiC Semiconductor GKR26/08 -
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5 짐 800 v 1.55 V @ 60 a 4 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MURT20020 GeneSiC Semiconductor MURT20020 104.4930
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MURT20020GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 100A 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURH10005 GeneSiC Semiconductor murh10005 -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 기준 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murh10005gn 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v 100A -
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 2.5700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB GB01SLT12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 1 a 0 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.5A 69pf @ 1v, 1MHz
FR12BR02 GeneSiC Semiconductor FR12BR02 9.2235
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR12BR02GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 12 a 200 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 -
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-46-3 GA05JT03 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) To-46 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1252 귀 99 8541.29.0095 200 - 300 v 9A (TC) - 240mohm @ 5a - - - 20W (TC)
MBRTA40030L GeneSiC Semiconductor MBRTA40030L -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 200a 580 mV @ 200 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor MBR20035ctr 90.1380
RFQ
 ECAD 8159 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR20035 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr20035ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 200a (DC) 650 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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