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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
GKR26/04 GeneSiC Semiconductor GKR26/04 -
RFQ
 ECAD 5627 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5 짐 400 v 1.55 V @ 60 a 4 ma @ 400 v -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MBRT600200R GeneSiC Semiconductor MBRT600200R 140.2020
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT600200 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 300A 920 MV @ 300 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor Murta60040 188.1435
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murta60040gn 귀 99 8541.10.0080 24 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 300A 1.5 V @ 300 a 220 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
S40JR GeneSiC Semiconductor S40JR 6.3770
RFQ
 ECAD 6074 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 S40J 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s40jrgn 귀 99 8541.10.0080 100 짐 600 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MBR3520 GeneSiC Semiconductor MBR3520 14.3280
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr3520gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 680 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
GBPC5010W GeneSiC Semiconductor GBPC5010W 4.0155
RFQ
 ECAD 6532 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5010 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0.7425
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR68GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
MBRT30040RL GeneSiC Semiconductor MBRT30040RL -
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 150a 600 mV @ 150 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBU4G GeneSiC Semiconductor gbu4g 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H 11.8000
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD15MPS17H 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.8 v @ 15 a 0 ns 20 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 36a 1082pf @ 1v, 1MHz
GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d 17.3000
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 GD2X SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD2X30MPS12D 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 55A (DC) 1.8 V @ 30 a 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL -
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 300A 580 mV @ 300 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160mt12d 6.5200
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R160 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R160MT12d 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 22A (TC) 15V 192mohm @ 10a, 15v 2.69V @ 5MA 28 nc @ 15 v ± 15V 730 pf @ 800 v - 123W (TC)
MBRT12020 GeneSiC Semiconductor MBRT12020 75.1110
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12020GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 60a 750 MV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40045DL GeneSiC Semiconductor MBRT40045DL 88.1588
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT40045 Schottky 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 45 v 200a (DC) 580 mV @ 200 a 5 ma @ 45 v -40 ° C ~ 100 ° C
G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J 17.9800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA G3R40 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R40MT12J 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1200 v 75A (TC) 15V 48mohm @ 35a, 15V 2.69V @ 10MA 106 NC @ 15 v ± 15V 2929 pf @ 800 v - 374W (TC)
FR16K05 GeneSiC Semiconductor FR16K05 8.2245
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.1 v @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184AR 6.3770
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1184AR 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N1184ARGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 100 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 40a -
MURF40010 GeneSiC Semiconductor MURF40010 -
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 200a 1 V @ 200 a 150 ns 25 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor MUR30060CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR30060 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur30060ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 150a 1.7 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST16030 GeneSiC Semiconductor FST16030 75.1110
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FST16030GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 160A (DC) 750 mV @ 160 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16GR02 GeneSiC Semiconductor FR16GR02 8.5020
RFQ
 ECAD 4900 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16GR02GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 16 a 200 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRTA80040R GeneSiC Semiconductor MBRTA80040R -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 400A 720 MV @ 400 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 300A 580 mV @ 300 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR40MR05 GeneSiC Semiconductor FR40MR05 17.1300
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1 V @ 40 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
MURT10020 GeneSiC Semiconductor MURT10020 -
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt10020gn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF500200R GeneSiC Semiconductor MBRF500200R -
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 250A 920 MV @ 250 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60020 GeneSiC Semiconductor MBRT60020 140.2020
RFQ
 ECAD 8188 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbrt60020gn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA40035L GeneSiC Semiconductor MBRTA40035L -
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF400150R GeneSiC Semiconductor MBRF400150R -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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