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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D 5.1900
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 GE2X8 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-ge2x8mps06d 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 19A (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
MBRT120150R GeneSiC Semiconductor MBRT120150R -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 60a 880 mV @ 60 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURH10005 GeneSiC Semiconductor murh10005 -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 기준 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murh10005gn 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v 100A -
FR40GR02 GeneSiC Semiconductor FR40GR02 13.8360
RFQ
 ECAD 6032 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1054 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
MBRTA80030L GeneSiC Semiconductor MBRTA80030L -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 400A 580 mV @ 400 a 3 ma @ 30 v -40 ° C ~ 100 ° C
MBRTA60040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60040RL -
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 300A 600 mV @ 300 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N1186AR GeneSiC Semiconductor 1N1186AR -
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1186AR 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 1 (무제한) 1242-1110 귀 99 8541.10.0080 5 - 200 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MSRT250100A GeneSiC Semiconductor MSRT250100A 54.2296
RFQ
 ECAD 8363 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT250100 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1000 v 250A (DC) 1.2 V @ 250 a 15 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
S70K GeneSiC Semiconductor S70K 9.8985
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S70KGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 800 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
MBR6045 GeneSiC Semiconductor MBR6045 20.2695
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR6045 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR6045GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 A 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
FST6345M GeneSiC Semiconductor FST6345M -
RFQ
 ECAD 8594 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3m Schottky D61-3m - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 700 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR70J05 GeneSiC Semiconductor FR70J05 17.5905
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR70J05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
MBR12045CT GeneSiC Semiconductor MBR12045CT 68.8455
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12045 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1019 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 120A (DC) 650 A 60 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4592 GeneSiC Semiconductor 1N4592 35.5695
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N4592 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N4592GN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 600 v 1.5 V @ 150 a 6.5 ma @ 600 v -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MURT40010R GeneSiC Semiconductor MURT40010R 132.0780
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURT40010 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt40010rgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 200a 1.3 V @ 200 a 125 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR7520R GeneSiC Semiconductor MBR7520R 21.9195
RFQ
 ECAD 6349 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR7520 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR7520RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 650 MV @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBR40020CTL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTL -
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 200a 580 mV @ 200 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 109.2000
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3-SMD 모듈 - 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) msrta6001gn 귀 99 8541.10.0080 25 짐 - 1600 v 600A (DC) -55 ° C ~ 150 ° C
1N3296AR GeneSiC Semiconductor 1N3296AR 33.5805
RFQ
 ECAD 1140 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N3296AR 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3296ARGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1200 v 1.5 v @ 100 a 9 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor mur30010ct 118.4160
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR30010 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur30010ctgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 150a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40040ctrl -
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT100140D GeneSiC Semiconductor MSRT100140D 87.1935
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT100 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT100140D 귀 99 8541.10.0080 40 짐 1 연결 연결 시리즈 1400 v 100A 1.1 v @ 100 a 10 µa @ 1400 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA20060AD GeneSiC Semiconductor MSRTA20060AD 85.9072
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA200 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 짐 1 연결 연결 시리즈 600 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURH10020R GeneSiC Semiconductor murh10020R 49.5120
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 murh10020 표준, 극성 역 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murh10020rgn 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v 100A -
MBR3520 GeneSiC Semiconductor MBR3520 14.3280
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr3520gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 680 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MBRT20020 GeneSiC Semiconductor MBRT20020 98.8155
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT20020GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 100A 750 MV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16G02 GeneSiC Semiconductor FR16G02 8.1330
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16G02GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 900 mV @ 16 a 200 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRT60020R GeneSiC Semiconductor MBRT60020R 140.2020
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT60020 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT60020RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040th65-227SP 1.0000
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 GA040 하나의 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 10 780 MA 6.5kV 69 a - 30 MA 40 a 1 scr
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTRL -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 150a 580 mV @ 150 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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