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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재의 전압 전압 - 분리 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
1N5833R GeneSiC Semiconductor 1N5833R 19.7895
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N5833R Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5833RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 40 a 20 ma @ 10 v -65 ° C ~ 150 ° C 40a -
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1N6096R 14.8695
RFQ
 ECAD 2380 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N6096R Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N6096RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 580 mV @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBR30040CTL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTL -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 150a 600 mV @ 150 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E 2.0500
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 GE06MPS06 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 17a 279pf @ 1v, 1MHz
MSRT200120A GeneSiC Semiconductor MSRT200120A 48.2040
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT200 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1200 v 200a (DC) 1.2 v @ 200 a 10 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C
MBRH15020L GeneSiC Semiconductor MBRH15020L -
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 580 mV @ 150 a 3 ma @ 20 v 150a -
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 -
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA GB05MPS17 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GB05MPS17-263 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a 470pf @ 1v, 1MHz
MBRH200150 GeneSiC Semiconductor MBRH200150 70.0545
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 200a -
MBRTA500150 GeneSiC Semiconductor MBRTA500150 -
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 250A 880 mV @ 250 a 4 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
S40K GeneSiC Semiconductor S40K 6.3770
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S40KGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 800 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MBRF500100R GeneSiC Semiconductor MBRF500100R -
RFQ
 ECAD 5177 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 250A 840 mV @ 250 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60045L GeneSiC Semiconductor MBRTA60045L -
RFQ
 ECAD 9002 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 300A 600 mV @ 300 a 5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF12030 GeneSiC Semiconductor MBRF12030 -
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor mur2x030a04 36.7500
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 mur2x030 기준 SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 짐 2 독립 400 v 30A 1.3 V @ 30 a 25 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBRT60040L GeneSiC Semiconductor MBRT60040L -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 300A 600 mV @ 300 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24080 GeneSiC Semiconductor MBRH24080 76.4925
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 840 mV @ 240 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 3.9210
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 GC10MPS12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 10 a 0 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 50a 660pf @ 1v, 1MHz
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S12Q 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S12QRGN 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1200 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
MBR2X050A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A045 43.6545
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X050 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 45 v 50a 700 mV @ 50 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
FR85B05 GeneSiC Semiconductor FR85B05 23.1210
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR85B05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
MBRF60060 GeneSiC Semiconductor MBRF60060 -
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 300A 800 mV @ 250 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60030 GeneSiC Semiconductor MBRTA60030 -
RFQ
 ECAD 6638 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 300A 700 mV @ 300 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST16040L GeneSiC Semiconductor FST16040L -
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 80a 600 mV @ 80 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6020 GeneSiC Semiconductor MBR6020 20.2695
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr6020gn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 650 A 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
MBRTA600150R GeneSiC Semiconductor MBRTA600150R -
RFQ
 ECAD 7109 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 300A 880 mV @ 300 a 4 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227 -
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 - 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10 - 50 a 1.2kV -
GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 4.1910
RFQ
 ECAD 1450 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 GC10MPS12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1331 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 10 a 0 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 54A 660pf @ 1v, 1MHz
MURF40010 GeneSiC Semiconductor MURF40010 -
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 200a 1 V @ 200 a 150 ns 25 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60020R GeneSiC Semiconductor MBRF60020R -
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 300A 650 mV @ 300 a 10 ma @ 20 v -40 ° C ~ 175 ° C
FR40DR02 GeneSiC Semiconductor FR40DR02 13.8360
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR40DR02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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