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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
BR1010 GeneSiC Semiconductor BR1010 0.9555
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br1010gn 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
BR310 GeneSiC Semiconductor BR310 0.5700
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br310gn 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 1000 v 3 a 단일 단일 1kv
BR38 GeneSiC Semiconductor BR38 0.5700
RFQ
 ECAD 9479 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR38GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 800 v 3 a 단일 단일 800 v
BR805 GeneSiC Semiconductor BR805 0.8910
RFQ
 ECAD 8408 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-8 기준 BR-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR805GN 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 50 v 8 a 단일 단일 50 v
BR81 GeneSiC Semiconductor BR81 2.0200
RFQ
 ECAD 453 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-8 기준 BR-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 100 v 8 a 단일 단일 100 v
DB102G GeneSiC Semiconductor DB102G 0.1980
RFQ
 ECAD 2400 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB102 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) db102ggn 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
GBL04 GeneSiC Semiconductor GBL04 2.9400
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbl04gn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBPC1501T GeneSiC Semiconductor GBPC1501T 2.4180
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC1501 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
GBPC2508T GeneSiC Semiconductor GBPC2508T 4.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2508 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
GBPC35010T GeneSiC Semiconductor GBPC35010T 2.3424
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC35010 기준 GBPC - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
GBU10A GeneSiC Semiconductor gbu10a 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU10 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBU10AGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
GBU15A GeneSiC Semiconductor GBU15A 0.6120
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBU15AGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 50 v 15 a 단일 단일 50 v
GBU15J GeneSiC Semiconductor GBU15J 0.6120
RFQ
 ECAD 3371 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu15jgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
GBU6D GeneSiC Semiconductor GBU6D 0.5385
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU6 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu6dgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
GBU8K GeneSiC Semiconductor GBU8K 0.5685
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu8kgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 800 v 8 a 단일 단일 800 v
KBJ2501G GeneSiC Semiconductor KBJ2501G 0.8955
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2501 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2501GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
KBJ2510G GeneSiC Semiconductor KBJ2510G 0.8955
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2510 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2510GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
KBJ402G GeneSiC Semiconductor KBJ402G 0.5160
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ402 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ402GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
KBJ406G GeneSiC Semiconductor KBJ406G 0.5160
RFQ
 ECAD 4282 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ406 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ406GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
KBL401G GeneSiC Semiconductor KBL401G 0.5385
RFQ
 ECAD 8480 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL401 기준 KBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBL401GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
KBL408G GeneSiC Semiconductor KBL408G 0.5385
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL408 기준 KBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBL408GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
KBP208 GeneSiC Semiconductor KBP208 0.3750
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP208GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 800 v
KBPC1508T GeneSiC Semiconductor KBPC1508T 2.1795
RFQ
 ECAD 9681 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC1508 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
KBPM202G GeneSiC Semiconductor KBPM202G -
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM202GGN 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 200 v
KBPM206G GeneSiC Semiconductor KBPM206G -
RFQ
 ECAD 3874 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM206GGN 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 600 v
KBU1002 GeneSiC Semiconductor KBU1002 0.8205
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBU1002GN 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 200 v 10 a 단일 단일 200 v
M3P100A-160 GeneSiC Semiconductor M3P100A-160 -
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-SMD 모듈 기준 5-SMD - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 100 a 10 ma @ 1600 v 100 a 3 단계 1.6kV
S70B GeneSiC Semiconductor S70B 9.8985
RFQ
 ECAD 6419 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S70BGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 100 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
MBRF300100 GeneSiC Semiconductor MBRF300100 -
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB MBRF3001 Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 150a 840 mV @ 150 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST16020 GeneSiC Semiconductor FST16020 75.1110
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FST16020GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 160A (DC) 750 mV @ 160 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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