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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
GBPC35010T GeneSiC Semiconductor GBPC35010T 2.3424
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC35010 기준 GBPC - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
GBU10A GeneSiC Semiconductor gbu10a 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU10 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBU10AGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
GBU15A GeneSiC Semiconductor GBU15A 0.6120
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBU15AGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 50 v 15 a 단일 단일 50 v
GBU15J GeneSiC Semiconductor GBU15J 0.6120
RFQ
 ECAD 3371 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu15jgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
GBU6D GeneSiC Semiconductor GBU6D 0.5385
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU6 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu6dgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
GBU8K GeneSiC Semiconductor GBU8K 0.5685
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu8kgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 800 v 8 a 단일 단일 800 v
KBJ2501G GeneSiC Semiconductor KBJ2501G 0.8955
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2501 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2501GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
KBJ2510G GeneSiC Semiconductor KBJ2510G 0.8955
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2510 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2510GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
KBJ402G GeneSiC Semiconductor KBJ402G 0.5160
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ402 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ402GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
KBJ406G GeneSiC Semiconductor KBJ406G 0.5160
RFQ
 ECAD 4282 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ406 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ406GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
KBL401G GeneSiC Semiconductor KBL401G 0.5385
RFQ
 ECAD 8480 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL401 기준 KBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBL401GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
KBL408G GeneSiC Semiconductor KBL408G 0.5385
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL408 기준 KBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBL408GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
KBP208 GeneSiC Semiconductor KBP208 0.3750
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP208GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 800 v
KBPC1508T GeneSiC Semiconductor KBPC1508T 2.1795
RFQ
 ECAD 9681 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC1508 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
KBPM202G GeneSiC Semiconductor KBPM202G -
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM202GGN 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 200 v
KBPM206G GeneSiC Semiconductor KBPM206G -
RFQ
 ECAD 3874 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM206GGN 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 600 v
KBU1002 GeneSiC Semiconductor KBU1002 0.8205
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBU1002GN 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 200 v 10 a 단일 단일 200 v
M3P100A-160 GeneSiC Semiconductor M3P100A-160 -
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-SMD 모듈 기준 5-SMD - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 100 a 10 ma @ 1600 v 100 a 3 단계 1.6kV
W005M GeneSiC Semiconductor W005m -
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM 기준 WOM 다운로드 1 (무제한) w005mgn 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 a 10 µa @ 50 v 1.5 a 단일 단일 50 v
GBL04 GeneSiC Semiconductor GBL04 2.9400
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbl04gn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBPC1501T GeneSiC Semiconductor GBPC1501T 2.4180
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC1501 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
MBR3580R GeneSiC Semiconductor MBR3580R 15.1785
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MBR3580 Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR3580RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 840 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 3.9210
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 GC10MPS12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 10 a 0 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 50a 660pf @ 1v, 1MHz
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor MBR200200CT 90.1380
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR200200 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 100A 920 MV @ 100 a 3 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5833R GeneSiC Semiconductor 1N5833R 19.7895
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N5833R Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5833RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 40 a 20 ma @ 10 v -65 ° C ~ 150 ° C 40a -
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor MUR10060CTR -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur10060ctrgn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 50a 1.7 V @ 50 a 110 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N3213R GeneSiC Semiconductor 1N3213R 7.0650
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3213R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3213RGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 500 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
FR40KR05 GeneSiC Semiconductor FR40KR05 17.1300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1 V @ 40 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 3.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB GB02SLT12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky DO-214AA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 1 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 131pf @ 1v, 1MHz
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D 5.1900
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 GE2X8 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-ge2x8mps06d 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 19A (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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