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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
MBRTA80030R GeneSiC Semiconductor MBRTA80030R -
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 400A 720 MV @ 400 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT400150R GeneSiC Semiconductor MBRT400150R 118.4160
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT400150 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20040R GeneSiC Semiconductor MBRH20040R 70.0545
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH20040 Schottky, 역, D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20040RGN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor MBR40035ctr 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR40035 Schottky, 역, 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1038 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 200a 700 mV @ 200 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20045L GeneSiC Semiconductor MBRH20045L -
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 200 a 5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 200a -
MURF10020 GeneSiC Semiconductor MURF10020 -
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) murf10020gn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST16045L GeneSiC Semiconductor FST16045L -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 80a 600 mV @ 80 a 3 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16D05 GeneSiC Semiconductor FR16D05 8.1330
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16D05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
FR40D02 GeneSiC Semiconductor FR40D02 12.8985
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR40D02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
SD4145 GeneSiC Semiconductor SD4145 13.4625
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 680 mV @ 30 a 1.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
GBPC1501W GeneSiC Semiconductor GBPC1501W 2.4180
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC1501 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBPC1501WGS 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
GBPC2510T GeneSiC Semiconductor GBPC2510T 2.5335
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC GBPC2510 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
GBPC3506W GeneSiC Semiconductor GBPC3506W 2.8650
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3506 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBPC3506WGS 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
GBPC50005W GeneSiC Semiconductor GBPC50005W 4.0155
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC50005 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 50 v 50 a 단일 단일 50 v
GBPC5006W GeneSiC Semiconductor GBPC5006W 4.0155
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5006 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 600 v 50 a 단일 단일 600 v
GBPC5010W GeneSiC Semiconductor GBPC5010W 4.0155
RFQ
 ECAD 6532 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5010 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
KBP202G GeneSiC Semiconductor KBP202G 0.2280
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP202 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP202GG 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
KBP203G GeneSiC Semiconductor KBP203G -
RFQ
 ECAD 7456 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
KBPC15005W GeneSiC Semiconductor KBPC15005W 2.1795
RFQ
 ECAD 4543 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC15005 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 15 a 단일 단일 50 v
KBPC1504W GeneSiC Semiconductor KBPC1504W 2.1795
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC1504 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 400 v 15 a 단일 단일 400 v
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor KBPC1510W 2.1825
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC1510 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
KBPC2501W GeneSiC Semiconductor KBPC2501W 2.2995
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC2501 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
KBPC2502W GeneSiC Semiconductor KBPC2502W 2.2995
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC2502 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
KBPC2506W GeneSiC Semiconductor KBPC2506W 2.2995
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC2506 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
KBPC3502W GeneSiC Semiconductor KBPC3502W 2.4720
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC3502 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 200 v 35 a 단일 단일 200 v
KBPC3510W GeneSiC Semiconductor KBPC3510W 2.4750
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC3510 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
KBPC5001W GeneSiC Semiconductor KBPC5001W 2.5875
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC5001 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 100 v
KBPC5004W GeneSiC Semiconductor KBPC5004W 2.5875
RFQ
 ECAD 5926 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC5004 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 400 v 50 a 단일 단일 400 v
KBPC5006W GeneSiC Semiconductor KBPC5006W 2.5875
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC5006 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 600 v 50 a 단일 단일 600 v
MURTA30020 GeneSiC Semiconductor MURTA30020 159.9075
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 음극 음극 공통 200 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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