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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
S70DR GeneSiC Semiconductor S70DR 9.8985
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 S70D 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s70drgn 귀 99 8541.10.0080 100 짐 200 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
MBR50080CT GeneSiC Semiconductor MBR50080CT -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR50080CTGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 250A 880 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR500100CT GeneSiC Semiconductor MBR500100CT -
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR500100CTGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 250A 880 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N3882 GeneSiC Semiconductor 1N3882 4.9020
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3882 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3882GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
1N1186R GeneSiC Semiconductor 1N1186R 7.4730
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1186R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 짐 200 v 1.2 v @ 35 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
S70Y GeneSiC Semiconductor S70Y 10.2225
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s70ygn 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1600 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
MBRTA60035 GeneSiC Semiconductor MBRTA60035 -
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 300A 700 mV @ 300 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 -
RFQ
 ECAD 6492 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1200 v 6A (TC) (90 ° C) - 220mohm @ 6a - - - -
MUR7005 GeneSiC Semiconductor MUR7005 17.5905
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur7005gn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
FST160100 GeneSiC Semiconductor FST160100 75.1110
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FST160100GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 160A (DC) 880 mV @ 160 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30045CTR GeneSiC Semiconductor MBR30045CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR30045 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr30045ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 150a 650 mV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT500100 GeneSiC Semiconductor MBRT500100 -
RFQ
 ECAD 1383 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 1 (무제한) MBRT500100GN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 250A 880 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S16Q GeneSiC Semiconductor S16Q 4.5900
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1200 v 1.1 v @ 16 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor MBR60020CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR60020 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr60020ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
150KR20A GeneSiC Semiconductor 150KR20A 35.5695
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 150KR20AGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 200 v 1.33 V @ 150 a 35 ma @ 200 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRH24035 GeneSiC Semiconductor MBRH24035 76.4925
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 720 MV @ 240 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MBRH20020 GeneSiC Semiconductor MBRH20020 70.0545
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20020GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MBRH20060 GeneSiC Semiconductor MBRH20060 70.0545
RFQ
 ECAD 8271 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20060GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MURF10020 GeneSiC Semiconductor MURF10020 -
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) murf10020gn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2505 GeneSiC Semiconductor MUR2505 10.1910
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2505gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBRH20040R GeneSiC Semiconductor MBRH20040R 70.0545
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH20040 Schottky, 역, D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20040RGN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MBR60040CTL GeneSiC Semiconductor MBR60040CTL -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 300A 600 mV @ 300 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A120 48.6255
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X080 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 120 v 80a 880 MV @ 80 a 3 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
MSRT150160A GeneSiC Semiconductor MSRT150160A 38.5632
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1600 v 150a 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor MBR40035ctr 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR40035 Schottky, 역, 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1038 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 200a 700 mV @ 200 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6040 GeneSiC Semiconductor MBR6040 20.2695
RFQ
 ECAD 7704 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR604 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR6040GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 A 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3879 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1087 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
FR30D02 GeneSiC Semiconductor FR30D02 10.4070
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR30D02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor MBR500200ctr -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 250A 920 MV @ 250 a 3 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT400150R GeneSiC Semiconductor MBRT400150R 118.4160
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT400150 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 200a 880 mV @ 200 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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